[发明专利]太阳能电池元件和太阳能电池元件的制造方法在审
申请号: | 202080015782.X | 申请日: | 2020-02-26 |
公开(公告)号: | CN113454802A | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 藤田浩平;佐野浩孝 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
主分类号: | H01L51/44 | 分类号: | H01L51/44;H01L51/46 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 陈曦;向勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 元件 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池元件,其中,
所述太阳能电池元件具有第一电极、第二电极、位于所述第一电极与所述第二电极之间的光吸收层、以及位于该光吸收层与所述第一电极之间的第一载流子传输部,
该第一载流子传输部具有处于在从所述光吸收层朝向所述第一电极的方向上层叠的状态的第一导电型的第一半导体层以及第一载流子导入层,
该第一载流子导入层与所述第一半导体层的所述第一电极侧的面接触,
所述第一载流子导入层中的电离电势比所述第一半导体层中的电子亲和力小。
2.如权利要求1所述的太阳能电池元件,其中,
所述太阳能电池元件还具有位于所述光吸收层与所述第二电极之间的第二载流子传输部,
该第二载流子传输部具有处于在从所述光吸收层朝向所述第二电极的方向上层叠的状态的第二导电型的第二半导体层以及第二载流子导入层,
该第二载流子导入层与所述第二半导体层的所述第二电极侧的面接触,
所述第二载流子导入层中的电子亲和力比所述第二半导体层中的电离电势大。
3.如权利要求1或2所述的太阳能电池元件,其中,
在从所述光吸收层朝向所述第一电极的方向上,所述第一载流子传输部的厚度比所述光吸收层的所述第一电极侧的表面上存在的凹凸的高度大。
4.如权利要求2所述的太阳能电池元件,其中,
在从所述光吸收层朝向所述第二电极的方向上,所述第二载流子传输部的厚度比所述光吸收层的所述第二电极侧的表面上存在的凹凸的高度大。
5.一种太阳能电池元件,其中,
所述太阳能电池元件具有第一电极、第二电极、位于所述第一电极与所述第二电极之间的光吸收层、以及位于该光吸收层与所述第二电极之间的第二载流子传输部,
该第二载流子传输部具有处于在从所述光吸收层朝向所述第二电极的方向上层叠的状态的第二导电型的第二半导体层以及第二载流子导入层,
该第二载流子导入层与所述第二半导体层的所述第二电极侧的面接触,
所述第二载流子导入层中的电子亲和力比所述第二半导体层中的电离电势大。
6.如权利要求5所述的太阳能电池元件,其中,
在从所述光吸收层朝向所述第二电极的方向上,所述第二载流子传输部的厚度比所述光吸收层的所述第二电极侧的表面上存在的凹凸的高度大。
7.如权利要求1~4中任一项所述的太阳能电池元件,其中,
所述第一半导体层与所述光吸收层接触,
所述第一电极与所述第一载流子导入层接触。
8.如权利要求1~4中任一项所述的太阳能电池元件,其中,
所述第一载流子传输部处于在从所述光吸收层朝向所述第一电极的方向上所述第一半导体层和所述第一载流子导入层重复层叠的状态。
9.如权利要求2、4、5中任一项所述的太阳能电池元件,其中,
所述第二半导体层与所述光吸收层接触,
所述第二电极与所述第二载流子导入层接触。
10.如权利要求2、4、5中任一项所述的太阳能电池元件,其中,
所述第二载流子传输部处于在从所述光吸收层朝向所述第二电极的方向上所述第二半导体层和所述第二载流子导入层重复层叠的状态。
11.一种太阳能电池元件的制造方法,其中,
其具有:
步骤(A):通过在光吸收层上以第一载流子导入层与第一半导体层中的与所述光吸收层相反一侧的面接触的方式层叠第一半导体层以及具有比该第一半导体层中的电子亲和力小的电离电势的第一载流子导入层,形成第一载流子传输部的步骤;以及
步骤(B):在所述第一载流子传输部上形成第一电极的步骤。
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