[发明专利]利用蚀刻腔室的蚀刻装置在审
申请号: | 202080016482.3 | 申请日: | 2020-04-22 |
公开(公告)号: | CN113574644A | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 李昇勋;牟圣元;李羊浩;裵祯贤;朴成焕;赵显东 | 申请(专利权)人: | 杰宜斯科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/306;H01L21/311;C09K13/06 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 梁丽超 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 蚀刻 装置 | ||
1.一种利用蚀刻腔室的蚀刻装置,其包括:
一蚀刻液存储腔室,该蚀刻液存储腔室存储一蚀刻液;
一连接部,该连接部与该蚀刻液存储腔室连通;
一蚀刻腔室,该蚀刻腔室通过该连接部而与该蚀刻液存储腔室连通以蚀刻一目标物;及
一加压维持部,该加压维持部使该蚀刻液存储腔室与该蚀刻腔室中的至少一个维持在加压气氛。
2.根据权利要求1所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置,其中,
该加压维持部具备调节该蚀刻液存储腔室的压力的一第一加压维持部及调节该蚀刻腔室的压力的一第二加压维持部中的至少一个。
3.根据权利要求2所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置,其中,
该第一加压维持部具备:
一第一加压部,该第一加压部使该蚀刻液存储腔室维持在设定的压力;
一温度控制部,该温度控制部控制该蚀刻液存储腔室内部的温度;及
一第一排气部,该第一排气部使该蚀刻液存储腔室内部的气体排出到外部。
4.根据权利要求2所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置,其中,
该第二加压维持部具备:
一第二加压部,该第二加压部使该蚀刻腔室维持在设定的压力;及
一第二排气部,该第二排气部使该蚀刻腔室内部的气体排出到外部。
5.根据权利要求4所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置,其中,
该第二排气部使该蚀刻腔室内部的气体排出到外部而与该蚀刻液存储腔室的内部产生压力差异。
6.根据权利要求1所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置,其中,
该连接部具备:
一蚀刻液移动部,该蚀刻液移动部供该蚀刻液从该蚀刻液存储腔室移动到该蚀刻腔室;
一选择性切断部,该选择性切断部配置于该蚀刻液移动部,选择性地切断该蚀刻液移动部;及
一蚀刻液供应部,该蚀刻液供应部促进该蚀刻液的移动。
7.根据权利要求1所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置,其中,
该蚀刻腔室具备在内部形成有一容纳部的一杯部,以及
在该杯部的上部可旋转地配置的一托架。
8.根据权利要求7所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置,其中,
该蚀刻腔室具备:
一第一腔室,该第一腔室在内部的一压力室配置有该杯部;及
一第二腔室,该第二腔室能开闭地配置于该第一腔室的一侧,并形成有一蚀刻液投入口,以向内部供应该蚀刻液。
9.根据权利要求7所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置,其中,
该杯部具备安装于该压力室的底面的一支架。
10.根据权利要求7所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置,其中,
在该托架的下部具备一旋转轴,
该旋转轴形成垂直旋转中心,并从一旋转驱动部传递旋转驱动力。
11.根据权利要求10所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置,其中,
该旋转轴垂直地贯通于该第一腔室的一第一连结部,
具备一第一密封构件,该第一密封构件插入于该第一连结部,并以贴紧状态包围该旋转轴的旋转方向。
12.根据权利要求11所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置,其中,
该第一密封构件具备一第一肋部,该第一肋部从内周面凸出,倾斜地贴紧该旋转轴的半径方向,沿上下方向排列至少一个。
13.根据权利要求7所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置,其中,
该托架具备用以上下贯通的一通道。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杰宜斯科技有限公司,未经杰宜斯科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202080016482.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:滑动薄遮阳板
- 下一篇:用于髋关节的髋臼半髋关节置换术的表面重建杯
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造