[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

说明书

一种半导体装置的制造方法，对形成有多个半导体装置(10)的预定的晶片(1)实施以下工序：形成与半导体层的表面接合的多个表面电极金属(12)的工序；挖设对比表面电极金属(12)的外缘(12E)更靠外侧的半导体层(13)而形成半导体装置(10)的最外缘沟道(16)的工序；以及将各个半导体装置(10)从晶片(1)切出的切割工序，在切割工序后，通过检查从最外缘沟道(16)到半导体装置(10)的芯片外形位置为止的距离来实施切口检查。

技术领域

本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。

背景技术

一般而言，已知有将半导体装置从晶片切出的切割装置以及切口(kerf)检查方法。

切割装置是如日本特开2001-129822号等所记载的那样通过在外周部固定有磨粒的刀片沿着间隔道(street)对晶片进行切削，并切断成模具(dice)状，由此从晶片得到芯片(各个半导体装置)的装置。在该切割装置中，因刀片的磨损而在晶片的间隔道产生碎屑，或者因刀片的热变形而利用刀片切削的槽(切口)的位置从间隔道的中心偏离。因此，在切割装置中，在预先设定的定时实施刀片的切口检查。即，向利用刀片切削的槽照射照明光，利用摄像机拍摄该槽，对该图像信号进行图像处理或对图像进行目视检查，对槽的位置、宽度、有无碎屑等进行检查。

以往，切口检查有时在晶片中利用刀片等进行的切断加工区域的端缘(芯片外形位置)以外周氧化膜的台阶部为基准以何种程度分离来进行。在各个芯片区域表面上的外周部设置有外周氧化膜。有时将从切断加工区域的端缘(芯片外形位置)起沿着最初的上升台阶部作为切口检查的基准。

发明内容

用于解决课题的手段

本公开的一个方式的半导体装置的制造方法对形成有多个半导体装置的预定的晶片实施以下工序：形成与半导体层的表面接合的多个表面电极金属的工序；挖设比所述表面电极金属的外缘更靠外侧的所述半导体层而形成所述半导体装置的最外缘沟道的工序；以及将各个该半导体装置从所述晶片切出的切割工序，在所述切割工序后，通过检查从所述最外缘沟道到所述半导体装置的芯片外形位置为止的距离来实施切口检查。

本公开的一个方式的半导体装置具备：半导体基板；半导体层，其层叠于所述半导体基板的表面；表面电极金属，其与所述半导体层的表面接合；沟道，其挖设于所述表面电极金属下的所述半导体层的表面；以及最外缘沟道，其挖设于比所述表面电极金属的外缘更靠外侧的所述半导体层的表面。

附图说明

图1是表示本公开的一个实施方式所涉及的两个半导体装置彼此相邻的部位的晶片的剖视图。

图2是表示本公开的另一个实施方式所涉及的两个半导体装置彼此相邻的部位的晶片的剖视图。

图3是表示比较例所涉及的两个半导体装置彼此相邻的部位的晶片的剖视图。

具体实施方式

以下，参照附图，对本公开的一个实施方式进行说明。

如图1所示，本实施方式的半导体装置10是具备半导体基板14、半导体层13、沟道15、最外缘沟道16、绝缘膜17、18、多晶硅19、20以及表面电极金属12的肖特基势垒二极管。

半导体基板14是N型高浓度硅基板。半导体层13是通过外延生长法层叠于半导体基板14的表面的N型低浓度的半导体层。

在半导体层13的表面挖设有沟道15以及最外缘沟道16。

绝缘膜17、18包含硅氧化膜。绝缘膜17对沟道15的整个内表面进行覆膜。绝缘膜18对包含最外缘沟道16的整个内表面在内的半导体层13的外周部表面进行覆膜。