[发明专利]基板及发光元件

权利要求书

1.一种基板，其特征在于，

具备：第一层、和与所述第一层重叠的第二层，

所述第一层包含结晶质的氮化铝和添加元素，

所述第二层包含结晶质的α-氧化铝，

所述添加元素为选自稀土元素、碱土元素及碱金属元素中的至少一种，

所述第一层的厚度为5nm以上且600nm以下，

RC(002)为源自所述氮化铝的(002)面的衍射X射线的摇摆曲线，

所述RC(002)通过所述第一层的表面的ω扫描来测定，

所述RC(002)的半值宽度为0°以上且0.4°以下，

RC(100)为源自所述氮化铝的(100)面的衍射X射线的摇摆曲线，

所述RC(100)通过所述第一层的表面的φ扫描来测定，

所述RC(100)的半值宽度为0°以上且0.8°以下。

2.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，

所述RC(002)的半值宽度为0.003°以上且0.2°以下，

所述RC(100)的半值宽度为0.003°以上且0.4°以下。

3.根据权利要求1或2所述的基板，其特征在于，

所述第一层包含：所述添加元素的含量的合计为0.1质量ppm以上且200质量ppm以下的区域。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板，其特征在于，

该基板用于发光元件。

5.一种发光元件，其特征在于，

具备权利要求1～4中任一项所述的基板。

6.根据权利要求5所述的发光元件，其特征在于，

具备：

所述基板；

n型半导体层，其重叠于所述第一层；

发光层，其重叠于所述n型半导体层；以及

p型半导体层，其重叠于所述发光层。

7.一种基板，其特征在于，

具备：第一层、第二层、和夹持于所述第一层及所述第二层之间的中间层，

所述第一层包含结晶质的氮化铝，

所述第二层包含结晶质的α-氧化铝，

所述中间层包含铝、氮、氧及添加元素，

所述添加元素为选自稀土元素、碱土元素及碱金属元素中的至少一种，

所述中间层中的所述添加元素的浓度的最大值为0.1质量ppm以上且200质量ppm以下。

8.根据权利要求7所述的基板，其特征在于，

所述中间层中的氮的含量沿着从所述第一层朝向所述第二层的方向减少，

所述中间层中的氧的含量沿着从所述第一层朝向所述第二层的方向增加。

9.根据权利要求7或8所述的基板，其特征在于，

所述中间层的厚度为5nm以上且500nm以下。

10.根据权利要求7～9中任一项所述的基板，其特征在于，

所述中间层中的所述添加元素的浓度的最大值为0.5质量ppm以上且100质量ppm以下。

11.根据权利要求7～10中任一项所述的基板，其特征在于，

所述添加元素包含铕及钙中的至少任一种。

12.一种发光元件，其特征在于，

具备权利要求7～11中任一项所述的基板。