[发明专利]扩展存储器操作在审

专利信息
申请号: 202080016964.9 申请日: 2020-01-28
公开(公告)号: CN113490915A 公开(公告)日: 2021-10-08
发明(设计)人: R·C·墨菲;G·E·胡申;V·S·拉梅什;A·波特菲尔德;A·科尔日 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G06F9/30 分类号: G06F9/30
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 彭晓文
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 扩展 存储器 操作
【说明书】:

描述了与扩展存储器操作有关的系统、设备和方法。扩展存储器操作可以包含由单个地址和操作数指定的操作,并且可以由包含处理单元和存储器资源的计算装置来执行。所述计算装置可以在没有接收到中间命令的情况下对通过计算瓦片流式传输的数据执行扩展存储器操作。在实例中,计算装置被配置成:接收执行操作的命令,所述操作包括利用所述计算装置的所述处理单元对数据执行操作;并且确定对应于所述操作的操作数存储在所述存储器资源中。所述计算装置可以进一步使用存储在所述存储器资源中的所述操作数来执行所述操作。

技术领域

本公开总体上涉及半导体存储器和方法,并且更具体地涉及用于扩展存储器操作的设备、系统和方法。

背景技术

存储器装置通常以内部半导体集成电路的形式设置于计算机或其它电子系统中。存在许多不同类型的存储器,包含易失性存储器和非易失性存储器。易失性存储器可能需要电力来维护其数据(例如,主机数据、错误数据等)并且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)和晶闸管随机存取存储器(TRAM)等等。非易失性存储器可以通过在不供电时保留所存储的数据来提供持久数据,并且可以包含NAND闪速存储器、NOR闪速存储器和电阻可变存储器(如相变随机存取存储器(PCRAM))、电阻式随机存取存储器(RRAM)和磁阻式随机存取存储器(MRAM),如自旋扭矩转移随机存取存储器(STT RAM),等等。

存储器装置可以耦接到主机(例如,主机计算装置),以在计算机或电子系统操作时存储供主机使用的数据、命令和/或指令。例如,当在计算系统或其它电子系统的操作期间,数据、命令和/或指令可以在主机与存储器装置之间转移。

附图说明

图1是根据本公开的若干个实施例的呈包含设备的计算系统的形式的功能框图,所述设备包含存储控制器和若干个存储器装置。

图2是根据本公开的若干个实施例的呈包含存储控制器的设备的形式的功能框图。

图3是根据本公开的若干个实施例的呈包含存储控制器的设备的形式的另一功能框图。

图4A是根据本公开的若干个实施例的呈包含存储控制器的设备的形式的又另一功能框图。

图4B是根据本公开的若干个实施例的呈包含存储控制器的设备的形式的又另一功能框图。

图4C是根据本公开的若干个实施例的呈包含存储控制器的设备的形式的又另一功能框图。

图5是根据本公开的若干个实施例的呈计算瓦片的形式的框图。

图6是根据本公开的若干个实施例的呈计算瓦片的形式的另一框图。

图7是根据本公开的若干个实施例的表示用于扩展存储器操作的示例方法的流程图。

具体实施方式

描述了与扩展存储器操作有关的系统、设备和方法。扩展存储器操作可以包含由单个地址和操作数指定的操作,并且可以由包含处理单元和存储器资源的计算装置来执行。所述计算装置可以在没有接收到中间命令的情况下对通过计算瓦片流式传输的数据执行扩展存储器操作。在实例中,计算装置被配置成:接收执行操作的命令,所述操作包括利用所述计算装置的所述处理单元对数据执行操作;并且确定对应于所述操作的操作数存储在所述存储器资源中。所述计算装置可以进一步使用存储在所述存储器资源中的所述操作数来执行所述操作。

如本文所使用的,“扩展存储器操作”是指可以由单个地址(例如,存储器地址)和操作数(如,64位操作数)指定的存储器操作。操作数可以表示为多个位(例如,一个位串或一串位)。然而,实施例不限于由64位操作数指定的操作,并且所述操作可以由与64位相比更大的操作数(例如,128位等)或更小的操作数(例如32位)指定。如本文所描述的,可访问以用于执行扩展存储器操作的有效地址空间是主机计算系统或存储控制器可访问的存储器装置或文件系统的大小。

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