[发明专利]垂直腔面发射激光器在审
申请号: | 202080017424.2 | 申请日: | 2020-02-26 |
公开(公告)号: | CN113519099A | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 李基煌;俞炳秀;卢正来 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
主分类号: | H01S5/22 | 分类号: | H01S5/22;H01S5/183 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 姜长星;李盛泉 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 垂直 发射 激光器 | ||
1.一种垂直腔面发射激光器,其特征在于,包括:
下部镜;
上部镜;
活性层,设置在所述下部镜和所述上部镜之间;
孔形成层,设置在所述上部镜和所述活性层之间,并且具有氧化层和被所述氧化层围绕的窗口层;
环形的沟槽,贯通所述上部镜、所述孔形成层以及所述活性层且在内部限定隔绝区域;以及
多个氧化孔,布置在被所述沟槽围绕的隔绝区域内,并且贯通所述上部镜和所述孔形成层。
2.如权利要求1所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,
所述沟槽贯通所述下部镜的部分厚度。
3.如权利要求1所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,还包括:
欧姆接触层,布置在所述上部镜上,
其中,所述欧姆接触层包括圆形环形状的圆形部分和向所述圆形部分的外侧突出的突出部,
所述氧化孔布置在所述突出部之间。
4.如权利要求3所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,
所述圆形环形状为一部分被切割的部分环形。
5.如权利要求3所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,
所述欧姆接触层具有对称结构,所述突出部彼此以相同间隔相隔。
6.如权利要求3所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,
所述氧化孔具有椭圆形状。
7.如权利要求3所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,
所述氧化孔具有圆形或者四边形形状。
8.如权利要求3所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,还包括:
覆盖所述欧姆接触层和所述上部镜的表面保护层和布置在所述表面保护层上的上部绝缘层,
其中,所述沟槽和所述氧化孔贯通所述表面保护层,
所述上部绝缘层覆盖所述沟槽和所述氧化孔。
9.如权利要求8所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,还包括:
多个通孔,贯通所述上部绝缘层和所述表面保护层而暴露所述欧姆接触层,
其中,所述通孔布置为与所述突出部对应。
10.如权利要求9所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,还包括:
垫和连接部,布置在所述上部绝缘层上,
其中,所述垫布置在所述沟槽的外侧,
所述连接部从所述垫延伸而通过所述通孔电连接到所述欧姆接触层。
11.一种具有发射器阵列的垂直腔面发射激光器,其特征在于,包括:
下部镜;
上部镜;
活性层,设置在所述下部镜和所述上部镜之间;
孔形成层,设置在所述上部镜和所述活性层之间,并且具有氧化层和被所述氧化层围绕的窗口层;
环形的沟槽,贯通所述上部镜、所述孔形成层以及所述活性层而在内部限定隔绝区域;以及
多个氧化孔,布置在被所述沟槽围绕的隔绝区域内,并且贯通所述上部镜和所述孔形成层,
其中,所述发射器阵列布置在被所述沟槽围绕的隔绝区域内,
所述多个氧化孔布置为与所述发射器阵列内的发射器对应。
12.如权利要求11所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,
所述沟槽贯通从所述上部镜至所述下部镜的部分厚度而形成。
13.如权利要求11所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,还包括:
欧姆接触层,与各个发射器对应而布置在所述上部镜上,
其中,各个欧姆接触层包括圆形环形状的圆形部分和向所述圆形部分的外侧突出的突出部,
所述氧化孔布置在所述突出部之间。
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