[发明专利]用于发射辐射的半导体器件的生长结构和发射辐射的半导体器件

权利要求书

1.一种用于发射辐射的半导体器件(10)的生长结构(1)，所述生长结构包括：

-半导体衬底(2)，所述半导体衬底

-包含基于砷化物化合物半导体的材料，

-缓冲结构(3)，所述缓冲结构

-设置在所述半导体衬底(2)上，

-包含基于砷化物化合物半导体的材料，以及

-具有缓冲层(4)，所述缓冲层具有至少一个n掺杂层(5)，其中，

所述n掺杂层(5)包含氧并且所述n掺杂层(5)中的氧的物质量占比为10¹⁵cm^-3至10¹⁹cm^-3。

2.根据前一项权利要求所述的生长结构(1)，

其中，所述半导体衬底(2)具有位错线(7)，所述位错线延伸到所述缓冲结构(3)中并且借助于所述缓冲层(4)折弯。

3.根据前述权利要求之一所述的生长结构(1)

其中，所述至少一个n掺杂层(5)包含AlGaAsO。

4.根据前一项权利要求所述的生长结构(1)，

其中，所述至少一个n掺杂层(5)包含Al_mGa_1-mAs:O，并且0.01≤m≤1。

5.根据前述两项权利要求之一所述的生长结构(1)，其中，所述至少一个n掺杂层(5)由AlGaAsO构成。

6.根据前述权利要求之一所述的生长结构(1)，

其中，所述n掺杂层(5)中的氧的物质量占比为至少100ppm且至多20000ppm。

7.根据前述权利要求之一所述的生长结构(1)

其中，所述缓冲层(4)由n掺杂的含氧层(5)构成。

8.根据权利要求1至6之一所述的生长结构(1)，

其中，所述缓冲层(4)具有至少一个n掺杂的无氧层(6)和至少一个n掺杂的含氧层(5)，所述至少一个n掺杂的无氧层和至少一个n掺杂的含氧层彼此上下设置。

9.根据前一项权利要求所述的生长结构(1)，

其中，所述缓冲层(4)具有多个n掺杂的无氧层(6)和多个n掺杂的含氧层(5)，所述多个n掺杂的无氧层和多个n掺杂的含氧层交替设置。

10.根据权利要求8或9所述的生长结构(1)，

其中，所述至少一个无氧层(6)具有0.5nm至10nm的厚度。

11.根据权利要求8至10之一所述的生长结构(1)，

其中，所述至少一个含氧层(5)具有0.5nm至5nm的厚度。

12.根据权利要求8至11之一所述的生长结构(1)，

其中，所述无氧层(6)包含GaAs。

13.根据前述权利要求之一所述的生长结构(1)，

其中，所述半导体衬底(2)由GaAs构成。

14.根据前述权利要求之一所述的生长结构(1)，

其中，所述缓冲结构(3)具有至少一个另外的缓冲层(2、3)，所述至少一个另外的缓冲层是n掺杂的且不含氧。

15.一种发射辐射的半导体器件(10)，其包括：

-根据前述权利要求之一所述的生长结构(1)，以及

-基于砷化物化合物半导体或磷化物化合物半导体的发光二极管结构(11)，所述发光二极管结构具有第一导电类型的第一区域(12)、第二导电类型的第二区域(14)和设置在所述第一区域与第二区域(12、14)之间的用于产生辐射的有源区域(13)，

其中，

所述发光二极管结构(11)生长到所述生长结构(1)上。