[发明专利]用于电子装置的低介电损耗玻璃有效
| 申请号： | 202080017910.4 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN113508097B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | H·D·伯克;蔡岭;J·A·海涅;L·A·兰伯森;A·坦迪亚;M·O·韦勒;K·D·瓦尔吉斯 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | C03C10/00 | 分类号： | C03C10/00;C03C14/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐鑫;项丹 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 电子 装置 低介电 损耗 玻璃 | ||
1.一种玻璃制品，其包含：
支撑铜的电绝缘层，其中，电绝缘层包括玻璃，以氧化物的摩尔％计，所述玻璃包含：
SiO2是60％至80％；
Al2O3是0％至13％；
B2O3是7％至20％；
0％至1％的至少一种澄清剂；
总计3％至15％的碱土氧化物RO，以氧化物的摩尔计，其中，RO选自CaO、MgO、BaO和SrO，其中，MgO与总RO之比是至少0.3，但是其中，RO是混合的RO物质使得MgO与总RO之比不超过0.9；
其中，B2O3:(Al2O3+SiO2)之比是0.13至0.35，
其中，玻璃包括10或更小的介电常数以及0.01或更小的损耗角正切，这两者都是以10GHz信号进行测量的，以及
其中，玻璃还包括1110℃至1325℃的35000泊温度。
2.如权利要求1所述的玻璃制品，其中，澄清剂包含以下一种或多种：SnO2、Sb2O3、As2O3和卤素盐。
3.如权利要求1所述的玻璃制品，其中，玻璃还包含：MgO是1％至13％，以及CaO是0.1％至10％，以氧化物的摩尔计。
4.如权利要求1所述的玻璃制品，其中，玻璃包含0摩尔％RO≤8.5摩尔％，并且还包括6或更小的介电常数和/或0.004或更小的损耗角正切，这两者都是以10GHz信号测量得到的。
5.如权利要求1所述的玻璃制品，其中，RO:(Al2O3+(0.5*B2O3))之比是0至0.9。
6.如权利要求1所述的玻璃制品，其中，RO:(Al2O3+(0.5*B2O3))之比是0.2至0.9。
7.如权利要求1所述的玻璃制品，其中，玻璃还包含：
SiO2是64％至75％；
Al2O3是1％至12％；以及
B2O3是7％至15％，以氧化物的摩尔计。
8.如权利要求1所述的玻璃制品，其中，玻璃包括7.5或更小的介电常数以及0.005或更小的损耗角正切，这是以10GHz信号测量得到的。
9.如权利要求1所述的玻璃制品，其中，玻璃包括5或更小的介电常数以及0.005或更小的损耗角正切，这是以10GHz信号测量得到的。
10.如权利要求1所述的玻璃制品，其中玻璃包含不超过痕量的碱金属氧化物。
11.如权利要求1所述的玻璃制品，其中，玻璃包括25x 10-7/℃至65x10-7/℃的平均热膨胀系数CTE，在0℃至300℃测量。
12.如权利要求1所述的玻璃制品，其中，玻璃包括260℃持续30秒的尺寸稳定性。
13.如权利要求1所述的玻璃制品，其中，绝缘层的厚度是100至700微米。
14.如权利要求13所述的玻璃制品，其中，铜是铜膜的形式，以及其中，绝缘层布置在铜膜之间。
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