[发明专利]正极及包含其的电化学装置和电子装置有效

专利信息
申请号: 202080018585.3 申请日: 2020-10-19
公开(公告)号: CN113614945B 公开(公告)日: 2022-09-09
发明(设计)人: 蔡小虎;刘胜奇;韩冬冬;王可飞 申请(专利权)人: 宁德新能源科技有限公司
主分类号: H01M4/13 分类号: H01M4/13;H01M4/62;H01M4/505;H01M4/525;H01M4/58;H01M4/485;H01M10/0525
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 林斯凯
地址: 352100 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 正极 包含 电化学 装置 电子
【权利要求书】:

1.一种正极,所述正极包括集流体和位于所述集流体上的正极活性物质层,所述正极活性物质层包括正极活性材料和石墨烯;所述正极活性材料的粒径Dv50与所述石墨烯的片径D1的比值Dv50/D1为0.45至3.5;

其中所述正极活性材料的粒径Dv10与Dv50的比值Dv10/Dv50为0.3至0.45;并且所述石墨烯的层数为n,n为7至20。

2.根据权利要求1所述的正极,其中所述正极活性材料的粒径Dv50为0.5μm至35μm。

3.根据权利要求1所述的正极,其中所述正极活性物质层还包括颗粒状导电剂,所述颗粒状导电剂的粒径D2与所述正极活性材料的粒径Dv50满足:D2/Dv500.4。

4.根据权利要求3所述的正极,其中所述颗粒状导电剂包括导电炭黑、Super P、乙炔黑、科琴黑和石墨中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的正极,其中所述正极活性材料的粒径Dv99与所述石墨烯的片径D1的比值Dv99/D1为3.2至4.6。

6.根据权利要求1所述的正极,其中所述正极活性物质层的膜片电阻为0.1ohm至550ohm。

7.根据权利要求1所述的正极,其中所述正极活性物质层的压实密度为3.5g/cc至4.5g/cc。

8.根据权利要求1所述的正极,其中所述正极活性材料包括锂过渡金属复合氧化物和含锂过渡金属磷酸化合物中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的正极,其中所述正极活性材料包括钴酸锂、镍钴锰酸锂、镍钴铝酸锂和磷酸铁锂中的至少一种。

10.根据权利要求1所述的正极,其中基于所述正极活性物质层的总重量,所述石墨烯的含量为0.1wt.%至5wt.%。

11.根据权利要求1所述的正极,其中所述正极活性物质层的涂覆面密度为200mg/1540.25mm2至330mg/1540.25mm2

12.一种电化学装置,其包含如权利要求1-11中任一项所述的正极。

13.一种电子装置,其包含如权利要求12所述的电化学装置。

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