[发明专利]用于集成装置的光学吸收滤光器在审
申请号: | 202080019075.8 | 申请日: | 2020-03-03 |
公开(公告)号: | CN113544493A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 迈克尔·贝洛斯;费萨尔·R·阿哈默德;詹姆斯·比奇;迈克尔·库曼斯;沙拉特·侯萨利;阿里·卡比里;凯尔·普雷斯顿;杰勒德·施密德;沈冰;乔纳森·M·罗斯伯格 | 申请(专利权)人: | 宽腾矽公司 |
主分类号: | G01N21/64 | 分类号: | G01N21/64;G02B5/20;G02B5/22 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 谭营营;胡彬 |
地址: | 美国康*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 集成 装置 光学 吸收 滤光 | ||
1.一种多层吸收体滤光器,包括:
多个吸收体层;以及
分隔述多个吸收体层以形成多层堆叠的多个介电材料层,其中在所述多层堆叠内存在至少三种不同的层厚度。
2.根据权利要求1所述的滤光器,其中所述多个介电材料层包括至少两种不同的厚度。
3.根据权利要求1或2所述的滤光器,其中所述多个吸收体层包括至少两种不同的厚度。
4.根据权利要求或2所述的滤光器,其中在所述堆叠内存在至少四种不同的层厚度。
5.根据权利要求1或2所述的滤光器,其中所述堆叠内的一些厚度不对应于所述滤光器被设计为对其阻挡的辐射的四分之一波长。
6.根据权利要求1或2所述的滤光器,其中所述三种不同层厚度中的至少两种相差超过50%。
7.根据权利要求1或2所述的滤光器,其中所述吸收体层包括掺杂硅。
8.根据权利要求1或2所述的滤光器,其中所述吸收体层的厚度在20nm和300nm之间。
9.一种形成多层吸收体滤光器的方法,所述方法包括:
沉积多个吸收体层;以及
沉积分隔所述多个吸收体层以形成多层堆叠的多个介电材料层,其中在所述多层堆叠内沉积至少三种不同的层厚度。
10.根据权利要求9所述的方法,其中沉积所述多个吸收体层包括沉积相差至少20%的至少两种不同厚度的吸收体。
11.根据权利要求9或10所述的方法,其中沉积所述多个吸收体层包括沉积并非四分之一波长厚的吸收体层。
12.根据权利要求9或10所述的方法,其中沉积所述多个介电材料层包括沉积相差至少20%的至少两种不同厚度的介电材料。
13.根据权利要求9或10所述所述的方法,其中沉积所述多个介电材料层包括沉积并非四分之一波长厚的介电材料层。
14.一种荧光检测组件,包括:
基板,其上形成有光学探测器;
反应室,其布置成接收荧光分子;
光波导,其布置在所述光学探测器和所述反应室之间;以及
光学吸收滤光器,其包括设置在所述光学探测器和所述反应室之间的半导体吸收层。
15.根据权利要求14所述的组件,还包括:
虹膜层,其在所述反应室和所述光学探测器之间具有开口;
第一覆盖层,其接触所述半导体吸收层的第一侧;
穿过所述第一覆盖层和所述半导体吸收层的孔;以及
延伸穿过所述孔的导电互连件。
16.根据权利要求14或15所述的组件,还包括至少一个介电层,其布置在具有所述半导体吸收层的堆叠中,以形成吸收干涉滤光器,其中所述堆叠的抑制比大于所述半导体吸收层单独的抑制比。
17.根据权利要求14或15所述的组件,还包括至少一个介电层,其布置在具有所述半导体吸收层和至少一个附加的半导体吸收层的堆叠中,以形成吸收干涉滤光器,其中所述堆叠的抑制比大于所述半导体吸收层单独的抑制比。
18.根据权利要求14或15所述的组件,其中所述半导体吸收层包括足以吸收指向所述反应室的第一波长的激发辐射并且从所述反应室传输第二波长的发射辐射的带隙。
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