[发明专利]功率半导体装置在审

专利信息
申请号: 202080019736.7 申请日: 2020-01-30
公开(公告)号: CN113614917A 公开(公告)日: 2021-11-05
发明(设计)人: 长崎仁德;加藤彻;平尾高志;田中信太朗 申请(专利权)人: 日立安斯泰莫株式会社
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L25/18
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 邓晔;宋俊寅
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 功率 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种功率半导体装置,其特征在于,包括:

具有第1功率半导体元件的第1子模块;

具有第2功率半导体元件的第2子模块;

正极侧导体部和负极侧导体部;

形成将所述第1子模块夹在中间而与所述负极侧导体部相对的负极侧相对部、和将所述第2子模块夹在中间而与所述正极侧导体部相对的正极侧相对部的中间基板;以及

传输用于控制所述第1功率半导体元件或所述第2功率半导体元件的信号的多个信号端子,

所述第2子模块以使所述第2功率半导体元件的电极面与所述第1功率半导体元件的电极面的朝向反转的方式进行配置,

在所述第2子模块的高度方向上并且被夹在该第2子模块的一部分和所述中间基板之间的空间中配置信号中继导体部,

所述中间基板具有与所述信号中继导体部连接且与所述信号端子电连接的布线。

2.如权利要求1所述的功率半导体装置,其特征在于,

具备将设置于所述中间基板的布线与所述信号端子连接的接合线,

所述中间基板由将所述第1子模块和所述第二子模块夹在中间的第1中间基板和第2中间基板构成,

从相对于所述第2功率半导体元件的电极面呈直角的方向看时,

所述第1中间基板具有不与所述第2中间基板重叠的非层叠部,

在所述非层叠部设有所述布线与接合线的连接部。

3.如权利要求1或2所述的功率半导体装置,其特征在于,

在所述第2子模块的高度方向上且被夹在该第2子模块的一部分和所述中间基板之间的空间中配置所述信号中继导体,

所述中间基板具有与所述信号中继导体连接且和所述信号端子电连接的布线。

4.如权利要求1所述的功率半导体装置,其特征在于,

在所述第2子模块的高度方向上且被夹在该第2子模块的一部分和所述中间基板之间的空间中配置信号中继导线,

所述中间基板具有与所述信号中继导线连接且和所述信号端子电连接的布线。

5.一种功率半导体装置的制造方法,该功率半导体装置包括:

具有第1功率半导体元件的第1子模块;

具有第2功率半导体元件的第2子模块;

正极侧导体部和负极侧导体部;

将所述第1子模块和所述第2子模块夹在中间的第1中间基板和第2中间基板;以及

传输用于控制所述第1功率半导体元件或所述第2功率半导体元件的信号的多个信号端子,

所述功率半导体装置的制造方法的特征在于,包括:

经由焊接材料以使所述第2功率半导体元件的电极面与所述第1功率半导体元件的电极面的朝向反转的方式将所述第1子模块和所述第2子模块并排配置于所述第1中间基板的第1工序;

在配置有所述第1中间基板的一侧的相反侧,在所述第1子模块和所述第2子模块、经由焊接材料以设置使所述第2中间基板和所述第1中间基板之间不重叠的非层叠部的方式配置该第2中间基板的第2工序;

使所述焊接材料熔融从而将所述第1子模块、所述第2子模块、所述第1中间基板和所述第2中间基板相接合的第3工序;以及

经由接合线将设置于所述非层叠部的布线和多个信号端子相连接的第4工序。

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