[发明专利]用于等离子体处理室的卡盘

权利要求书

1.一种用于等离子体处理室的静电卡盘系统，其包括：

基板，其包括Al-SiC；

陶瓷板，其设置在所述基板上；以及

粘合层，其将所述陶瓷板粘合至所述基板上。

2.根据权利要求1所述的静电卡盘系统，其还包括位于所述基板内的通道。

3.根据权利要求2所述的静电卡盘系统，其中所述通道为温度控制通道。

4.根据权利要求1所述的静电卡盘系统，其还包括围绕着所述基板的边缘环。

5.根据权利要求4所述的静电卡盘系统，其中所述基板的CTE与所述边缘环的CTE之间的差介于12.5-14.5ppm/℃之间。

6.根据权利要求4所述的静电卡盘系统，其中所述边缘环包括石英、陶瓷、耐等离子体腐蚀玻璃或硅中的至少一者。

7.根据权利要求1所述的静电卡盘系统，其中所述陶瓷板包括铝氧化物或铝氮化物中的至少一者。

8.根据权利要求1所述的静电卡盘系统，其中所述粘合层包括硅树脂。

9.根据权利要求8所述的静电卡盘系统，其中所述粘合层还包括导热填充物材料。

10.根据权利要求1所述的静电卡盘系统，其中所述基板包括具有以重量计为18％至65％的SiC的Al-SiC。

11.根据权利要求1所述的静电卡盘系统，其中所述基板包括具有以重量计为18％至40％的SiC的Al-SiC。

12.根据权利要求1所述的静电卡盘系统，其中所述基板包括具有以重量计为18％至30％的SiC的Al-SiC。

13.根据权利要求1所述的静电卡盘系统，其还包括电性连接至所述基板的RF源。

14.根据权利要求1所述的静电卡盘系统，其还包括连接至所述基板的温度控制器，其中所述温度控制器被配置成将所述基板加热至温度高于90℃，以及将所述基板冷却至温度低于-40℃。

15.根据权利要求1所述的静电卡盘系统，其中所述基板包括：

顶板，其中通道被机械加工至所述顶板的底部中；以及

底板，连接至所述顶板。

16.根据权利要求1所述的静电卡盘系统，其中所述基板通过增材制造工艺形成。

17.根据权利要求1所述的静电卡盘系统，其中所述基板的CTE与所述陶瓷板的CTE之间的差介于5-8ppm/℃之间。