[发明专利]固态二次电池及其制造方法在审
| 申请号： | 202080019951.7 | 申请日： | 2020-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN113544879A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;栗城和贵;田岛亮太;米田祐美子 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01M4/134 | 分类号： | H01M4/134;H01M4/139;H01M4/38;H01M10/052;H01M10/056;H01M10/0562;H01M10/0585 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 宋俊寅 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 固态 二次 电池 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种固态二次电池的制造方法，
其中，在正极活性物质层或负极活性物质层上共蒸镀锂的有机配合物与SiOⅩ(0Ⅹ2)来形成固体电解质层。
2.根据权利要求1所述的固态二次电池的制造方法，
其中通过溅射法形成所述正极活性物质层或所述负极活性物质层。
3.根据权利要求1或2所述的固态二次电池的制造方法，
其中所述锂的有机配合物是8-羟基喹啉-锂。
4.一种固态二次电池，包括：
正极；
负极；以及
所述正极和所述负极之间的含有硅、氧、锂及碳的固体电解质层。
5.根据权利要求4所述的固态二次电池，
其中所述固体电解质层还包含氮。
6.根据权利要求4或5所述的固态二次电池，
其中在所述负极和所述固体电解质层之间包括含有硅的负极活性物质层。
7.根据权利要求4至6中任一项所述的固态二次电池，
其中在所述正极和所述固体电解质层之间包括正极活性物质层。
8.根据权利要求4至7中任一项所述的固态二次电池，
其中所述固体电解质层中的相对于硅的氧之比大于1且小于2。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202080019951.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：合并消息存储数据结构
- 下一篇：多端口功率转换器设备
