[发明专利]带发电功能的半导体集成电路装置在审
申请号: | 202080020452.X | 申请日: | 2020-03-02 |
公开(公告)号: | CN113574689A | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 后藤博史;坂田稔 | 申请(专利权)人: | GCE研究开发有限公司 |
主分类号: | H01L37/00 | 分类号: | H01L37/00;H01L23/12;H01L25/10;H01L25/11;H01L25/18;H05K1/18 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 崔成哲;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发电 功能 半导体 集成电路 装置 | ||
提供一种能够抑制电路基板的大型化的带发电功能的半导体集成电路装置。带发电功能的半导体集成电路装置(200)具有半导体集成电路装置和热电元件(1)。半导体集成电路器件包含收纳半导体集成电路芯片(230)的封装件(210)。半导体集成电路芯片(230)具有与电路基板对置的下表面、及与所述搭载面对置的上表面。热电元件(1)包括:壳体部,其具有收纳部;第一电极部,设置于收纳部内;第二电极部,其设置于容纳部内,在第一方向上与第一电极部分离并对置,具有与第一电极部不同的功函数;以及中间部,其设置于容纳部内的第一电极部与第二电极部之间,包含具有第一电极部的功函数与第二电极部的功函数之间的功函数的纳米粒子。壳体部设置在半导体集成电路芯片(230)的上表面侧。
技术领域
本发明涉及带发电功能的半导体集成电路装置。
背景技术
近来,考虑人工热源发出的热的有效利用。作为人工热源之一,存在半导体集成电路装置。半导体集成电路装置在动作时发出较高的热。现状是,该热经由散热器等向半导体集成电路装置外发散。
在专利文献1中公开了一种热电元件,其具备以亚微米的间隔分离发射极电极层和集电极电极层的电绝缘性的球状纳米珠,使发射极电极层的功函数比集电极电极层的功函数小,将分散有具有发射极电极层和集电极电极层的中间的功函数且粒径比球状纳米珠小的金属纳米粒子的金属纳米粒子分散液填充到被球状纳米珠分离的电极间的空间。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第6147901号公报
发明内容
发明所要解决的课题
在专利文献1所公开的热电元件中,使发射极电极层的功函数小于集电极电极层的功函数,并将金属纳米粒子分散液填充到被球状纳米珠分离得到的电极间的空间。由此,即使没有如塞贝克元件那样使热电元件的电极间产生温度差的机构,热电元件也能够发电。
只要能够通过这样的在电极间不需要温度差的热电元件获得半导体集成电路装置发出的热能而进行发电,就有希望用作利用了半导体集成电路装置的电子设备的辅助电源等。
然而,需要将热电元件搭载于电路基板等,存在使电路基板的大型化的情况。
本发明是鉴于上述情况而完成的,其目的在于提供一种能够抑制电路基板的大型化的带发电功能的半导体集成电路装置。
用于解决课题的手段
第一发明的带发电功能的半导体集成电路装置具有:半导体集成电路装置;以及热电元件,其将从所述半导体集成电路装置放出的热能转换为电能,其特征在于,所述半导体集成电路装置具有收纳半导体集成电路芯片的封装件,所述半导体集成电路芯片具有与电路基板对置的下表面以及与所述下表面对置的上表面,所述热电元件具有:壳体部,其具有收纳部;第一电极部,其设置在所述收纳部内;第二电极部,其设置在所述收纳部内,与所述第一电极部在第一方向上分离并对置,具有与所述第一电极部不同的功函数;以及中间部,其设置在所述收纳部内的所述第一电极部与所述第二电极部之间,包含如下纳米粒子,该纳米粒子具有所述第一电极部的功函数与所述第二电极部的功函数之间的功函数,所述壳体部设置在所述半导体集成电路芯片的所述上表面侧。
第二发明的带发电功能的半导体集成电路装置的特征在于,在第一发明中,所述热电元件还包含:第一连接布线,其与所述第一电极部电连接,将所述第一电极部向所述收纳部之外导出;第二连接布线,其与所述第二电极部电连接,将所述第二电极部向所述收纳部之外导出;以及所述第一电极部与所述第一连接布线的第一电接点、以及所述第二电极部与所述第二连接布线的第二电接点分别设置在所述收纳部内。
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