[发明专利]雪崩光电探测器(变型)及其制造方法(变型)

权利要求书

1.一种用于制造雪崩光电探测器的方法，所述方法包括以下步骤：

-在半导体晶片的整个表面上形成倍增层，

-在所述倍增层的上表面的某一区域形成至少一个雪崩放大器的接触层，同时在所述接触层外部形成光电转换器区域，

-在所述接触层上形成第一透明电极，以及

-在所述半导体晶片的底表面上形成第二电极。

2.一种用于制造雪崩光电探测器的方法，所述方法包括以下步骤：

-在半导体晶片的整个表面上形成倍增层，

-在所述倍增层的表面上蚀刻封闭凹槽，使得所述封闭凹槽的深度大于或等于所述倍增层的厚度，但小于所述晶片和所述倍增层的组合的总厚度，并且在由所述凹槽界定的区域内部形成光电探测器，

-用导电类型与所述倍增层的导电类型相同的高掺杂多晶硅填充所述封闭凹槽，

-在由所述封闭凹槽界定的所述倍增层的上表面的某一区域形成至少一个雪崩放大器的接触层，同时在所述接触层外部形成光电转换器区域，

-在所述接触层上形成第一透明电极，以及

-在所述半导体晶片的底表面上形成第二电极。

3.一种用于制造雪崩光电探测器的方法，所述方法包括以下步骤：

-在半导体晶片的整个表面上形成倍增层，

-在所述倍增层的表面上蚀刻封闭凹槽，使得所述封闭凹槽的深度大于或等于所述倍增层的厚度，但小于所述晶片和所述倍增层的组合的总厚度，并且在由所述凹槽界定的区域内部形成光电探测器，

-用导电类型与所述倍增层的导电类型相同的高掺杂多晶硅填充所述封闭凹槽，

-在由所述封闭凹槽界定的所述倍增层的上表面的某一区域形成至少一个雪崩放大器的接触层，同时在所述接触层外部形成光电转换器区域，

-蚀刻掉所述光电转换器区域中的所述倍增层的一部分，蚀刻的量小于层厚度，

-将介电层放置在所述倍增层的蚀刻掉的表面上，所述介电层的厚度等于所述光电转换器区域中的所述倍增层的蚀刻掉的量，

-将由透明材料制成的第一电极放置在所述接触层和所述介电层两者的表面上，以及

-在所述半导体晶片的底表面上形成第二电极。

4.根据权利要求1-3所述的方法，其中，所述半导体晶片由低电阻材料制成。

5.根据权利要求1-4所述的方法，其中，所述晶片和所述倍增层两者由相同的半导体材料制成。

6.根据权利要求1-5所述的方法，其中，使用外延方法在晶片表面上形成所述倍增层。

7.根据权利要求1-6所述的方法，其中，通过用形成具有相反导电性的层的掺杂剂掺杂所述倍增层来制成所述接触层。

8.根据权利要求2-7所述的方法，其中，所述封闭凹槽的宽度为1.5μm至2.0μm。

9.根据权利要求3-8所述的方法，其中，在放置所述第一电极之前，将高电阻层放置在所述雪崩放大器的所述接触层上。

10.一种雪崩光电探测器，所述雪崩光电探测器根据权利要求1所述的方法制造，所述光电探测器包括：

-半导体晶片，

-倍增层，覆盖所述半导体晶片的整个表面，

-接触层，置于所述倍增层的某一区域上，其中在所述倍增层中形成至少一个雪崩放大器区域和所述接触层外部的光电转换器区域，

-第一透明电极，形成在所述接触层上，以及

-第二电极，形成在所述半导体晶片的底表面上。