[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法及打线接合装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

第一电极；

第二电极，与所述第一电极电性连接；以及

接合导线，一端接合于所述第一电极，另一端接合于所述第二电极，

所述接合导线具有：

第一导线部，沿着所述第一电极的表面延伸，一部分被按压而与所述第一电极电性接合；

第二导线部，以不接触所述第一导线部的方式，沿自所述第一电极的表面立起的方向延伸；

第三导线部，向所述第二电极延伸，端部被按压而与所述第二电极电性接合；

第一弯曲部，将所述第一导线部延伸的方向弯曲成所述第二导线部延伸的方向；以及

第二弯曲部，将所述第二导线部延伸的方向弯曲成所述第三导线部延伸的方向。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一导线部包含接合部以及延伸部，所述接合部与所述第一电极电性接合，所述延伸部与所述接合部及所述第二导线部连续，

所述延伸部的长度较所述接合部的长度更长。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第一弯曲部中，所述第一导线部延伸的第一方向与所述第二导线部延伸的第二方向所成的角度为90度以下。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第二弯曲部中，所述第二导线部延伸的第二方向与所述第三导线部延伸的第三方向所成的角度为90度以上。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一弯曲部为所述接合导线塑性变形的部分。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一弯曲部为所述接合导线塑性变形的部分。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二弯曲部为所述接合导线塑性变形的部分。

8.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二弯曲部为所述接合导线塑性变形的部分。

9.一种半导体装置的制造方法，为包括第一电极、与所述第一电极电性连接的第二电极、以及一端接合于所述第一电极且另一端接合于所述第二电极的接合导线的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

第一步骤，使用焊针将所述接合导线的一端接合于所述第一电极后，一边抽出所述接合导线，一边使所述焊针的前端移动至较所述接合导线的接合部更靠所述第二电极侧且较所述接合部更靠上方的位置；

第二步骤，使所述焊针的前端向所述第一电极下降并将所述接合导线的一部分按压于所述第一电极，由此形成第一弯曲部；

第三步骤，一边抽出所述接合导线，一边使所述焊针的前端移动至较所述第一弯曲部更靠所述接合部侧且较所述接合部更靠上方的位置；以及

第四步骤，使所述焊针的前端向所述第一电极下降，由此形成第二弯曲部。

10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第一步骤包含：

一边沿着所述第一电极的表面的法线方向抽出所述接合导线，一边使所述焊针上升的步骤；以及

一边沿着与所述第一电极的表面的法线方向交叉的方向朝所述第二电极侧抽出所述接合导线，一边使所述焊针移动的步骤。

11.根据权利要求9或10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第三步骤包含：

一边沿着所述第一电极的表面的法线方向抽出所述接合导线，一边使所述焊针上升的步骤；以及

一边沿着与所述第一电极的表面的法线方向交叉的方向朝所述接合部侧抽出所述接合导线，一边使所述焊针移动的步骤。