[发明专利]电子设备、半导体器件、绝缘片和半导体器件制造方法在审

专利信息
申请号: 202080020762.1 申请日: 2020-02-03
公开(公告)号: CN113574661A 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: 土田真也;N.萨贝尔斯特罗姆;森下允晴;广瀬健治;林原正宪;田村哲司;大西整;菅原信之 申请(专利权)人: 索尼互动娱乐股份有限公司
主分类号: H01L23/36 分类号: H01L23/36;H01L23/40;H05K7/20
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张邦帅
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电子设备 半导体器件 绝缘 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种电子设备,包括:

半导体芯片;

衬底,设置在半导体芯片的下侧,并且具有第一区域和第二区域,第一区域作为安装半导体芯片的区域,第二区域作为设置包括电路图案和电气部分中的至少一个的导体元件的区域;

散热器,设置在半导体芯片的上侧上;和

存在于散热器和半导体芯片之间的导热材料,其中

所述电子设备还包括围绕导热材料的密封构件和覆盖导体元件的绝缘部分,并且

所述导热材料具有导电性,并且至少在半导体芯片工作时具有流动性。

2.根据权利要求1所述的电子设备,其中

所述密封构件位于绝缘部分的上表面和散热器的下表面之间。

3.根据权利要求1所述的电子设备,进一步包括:

附接到衬底的加强件,其中

所述密封构件位于加强件的上表面和散热器的下表面之间。

4.根据权利要求1所述的电子设备,其中

所述密封构件位于导体元件和半导体芯片的侧表面之间。

5.根据权利要求1所述的电子设备,其中

所述密封构件由允许密封构件的厚度在上下方向上变化的材料形成。

6.一种电子设备,包括:

半导体芯片;

衬底,设置在半导体芯片的下侧,并且具有第一区域和第二区域,第一区域作为安装半导体芯片的区域,第二区域作为设置包括电路图案和电气部分中的至少一个的导体元件的区域;

散热器,设置在半导体芯片的上侧上;和

存在于散热器和半导体芯片之间的导热材料,其中

所述电子设备还包括覆盖导体元件的绝缘部分,

所述导热材料具有导电性,并且至少在半导体芯片工作时具有流动性,并且

从绝缘部分的上表面的至少一部分到散热器的下表面的距离大于从半导体芯片的上表面到散热器的下表面的距离。

7.根据权利要求6所述的电子设备,其中

所述绝缘部分的上表面的至少一部分相对于衬底的高度小于半导体芯片的上表面相对于衬底的高度。

8.根据权利要求6所述的电子设备,其中

所述电气部分的上表面被绝缘部分覆盖。

9.根据权利要求6所述的电子设备,进一步包括:

附接到衬底的加强件,其中

所述绝缘部分的上表面的至少一部分相对于衬底的高度等于或小于加强件的上表面相对于衬底的高度。

10.根据权利要求6所述的电子设备,其中

所述绝缘部分是通过固化液体或凝胶形式的树脂获得的部分。

11.根据权利要求6所述的电子设备,其中

所述绝缘部分是覆盖导体元件的片。

12.根据权利要求11所述的电子设备,其中

所述绝缘部分包括覆盖导体元件的第一片和第二片,并且

所述第二片设置在所述第一片的下侧。

13.根据权利要求12所述的电子设备,其中

将第一片附接到衬底的材料和将第二片附接到衬底的材料彼此不同。

14.根据权利要求11所述的电子设备,其中

所述片通过液体垫圈附接到衬底。

15.根据权利要求6所述的电子设备,进一步包括:

围绕导热材料的密封构件。

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