[发明专利]用于成像应用的光电探测器

权利要求书

1.一种用于成像应用的光电探测器，特别是用于高速成像应用的光电探测器(100)，包括：

光电二极管阵列(100a)，其具有多个光电二极管(110)，

其中，每个光电二极管(110)具有主体敏感区域(111)和在所述光电二极管(110)的光刻限定的边缘(112)处的外围(112)，以及

电荷俘获抑制单元(130、140)，其被配置为抑制电荷在所述光电二极管(110)的所述边缘(112)处的俘获，其中

所述电荷俘获抑制单元(130、140)包括在所述光电二极管(110)的所述主体敏感区域(111)的所述外围(112)处直接接触的金属偏置线(132)，所述金属偏置线(132)能够连接到电压源以偏置所述偏置线(132)，从而排斥来自所述光电二极管(110)的所述边缘(112)处的陷阱点位的与所述偏置线极性相同的载流子，

其中，所述主体敏感区域(111)包括非晶态材料。

2.根据权利要求1所述的用于成像应用的光电探测器，其中

所述电荷俘获抑制单元(130、140)包括覆盖所述光电二极管阵列(100a)的荫罩(140)，所述荫罩(140)具有小于所述光电二极管(110)的所述主体敏感区域(111)的多个开口(141)，使得所述光电二极管(110)的所述边缘(112)被所述罩子(140)覆盖。

3.根据权利要求1或2中的一项所述的光电探测器(100)，其中

所述光电二极管(110)的每个包括底部金属电极(110c)、其外围(112)在光刻限定的边缘处的所述主体敏感材料(111)和顶部金属电极(110f)，

其中，所述顶部电极(110f)面向入射光，其中，所述底部电极(110c)背向所述入射光。

4.根据权利要求3所述的光电探测器，其中

所述金属偏置线(132)不与所述光电二极管(110)的所述底部电极(110c)和所述顶部金属电极(110f)接触。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的光电探测器，其中

所述光电二极管(110)的偏置为零。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的光电探测器，其中，所述光电二极管(110)是具有底部金属电极(110c)、主体光敏有机半导体材料(111)和顶部金属电极的光电二极管。

7.一种制造用于医学成像应用的光电探测器(100)的方法，包括以下步骤：

使用光刻制造具有多个光电二极管(110)的光电二极管阵列(100a)，其中，每个光电二极管(110)具有非晶态材料的主体敏感区域(111)和在所述光电二极管(110)的光刻限定的边缘处的外围(112)，

在光刻期间直接在所述光电二极管(110)的所述主体敏感区域(111)的所述外围(112)处应用金属偏置线(132)，所述金属偏置线(132)能够连接到电压源以偏置所述偏置线(132)，从而排斥来自所述光电二极管(110)的所述边缘(112)处的陷阱位点的与所述偏置线的极性相同的极性的载流子，和/或

应用覆盖所述光电二极管阵列(100a)的荫罩(140)，所述荫罩(140)具有小于所述光电二极管(110)的所述主体敏感区域(111)的多个开口(141)，使得所述光电二极管(110)的所述边缘(112)被所述罩子(140)覆盖。

8.一种利用根据权利要求1至5中的任一项所述的光电探测器探测光子的方法，包括以下步骤：

向所述金属偏置线(130)应用偏置电压，利用所述光电二极管阵列(110a)探测光子，

其中，所述光电二极管的偏置为零。

9.一种成像系统，包括

至少一个根据权利要求1至6中的一项所述的光电探测器(100)。

10.根据权利要求9所述的成像系统，其中，所述成像系统是X射线计算机断层摄影系统形式的医学成像系统。