[发明专利]用于估计温度的静电卡盘加热器电阻测量在审
申请号: | 202080020835.7 | 申请日: | 2020-03-10 |
公开(公告)号: | CN113574648A | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 经常友;亚历山大·米赫宁科;克里斯托弗·金博尔 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;G01R27/08;G01R19/10 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 樊英如;张静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 估计 温度 静电 卡盘 加热器 电阻 测量 | ||
1.一种控制器,其包含:
电压传感器,其耦合至整合在静电卡盘中的加热器迹线,所述电压传感器被配置成感测在所述加热器迹线两端的电压差,其中所述加热器迹线与加热器区域相关联;
电流传感器,其耦合至所述加热器迹线,并且被配置成感测所述加热器迹线中的电流;
电阻识别器,其被配置成基于所述电压差和感测到的所述电流来识别所述加热器迹线的电阻;以及
温度关联器,其被配置成基于所述电阻以及所述加热器迹线的相关函数来估计所述加热器区域的温度,
其中所述相关函数使用所述加热器迹线的电阻的温度系数。
2.根据权利要求1所述的控制器,其还包含:
温度比较器,其被配置成比较所估计出的所述温度与所述加热器区域相关联的期望温度。
3.根据权利要求2所述的控制器,其还包含:
功率控制器,其被配置成基于所估计出的所述温度与所述期望温度之间的比较结果来调节供应至所述加热器迹线的功率。
4.根据权利要求3所述的控制器,
其中所述功率控制器利用脉宽调制来调节所述功率。
5.根据权利要求3所述的控制器,
其中所述控制器位于等离子体处理室的RF热环境内,以及
其中所述控制器被用于提供对供应至所述加热器迹线的所述功率的原位调节。
6.根据权利要求3所述的控制器,
其中所述功率控制器执行对所述估计出的温度的闭回路分析,以调节供应至所述加热器迹线的所述功率,以使所估计出的所述温度与所述期望温度相匹配。
7.根据权利要求1所述的控制器,其中所述温度关联器在不使用温度传感器的情况下来估计所述温度。
8.一种用户接口,其包含:
显示器,其被配置成显示与等离子体处理室的静电卡盘的第一加热器区域相关的信息;
其中所述信息包含与所述第一加热器区域相关联的第一温度;
其中所述第一温度由第一温度控制器所确定,所述第一温度控制器被配置成:
感测在与所述第一加热器区域相关联的第一加热器迹线两端的电压差;
感测所述第一加热器迹线内的电流;
基于所述电压差以及感测到的所述电流来识别所述第一加热器迹线的电阻;以及
基于所述电阻以及所述第一加热器迹线的相关函数来估计所述第一温度。
9.根据权利要求8所述的用户接口,其进一步包含:
被配置成基于所述第一温度来触发警示的逻辑。
10.根据权利要求9所述的用户接口,
其中所述警示包含建议,所述建议提供待基于所述信息而采取的至少一个动作。
11.根据权利要求9所述的用户接口,其中当所述第一加热器区域的期望温度与所述第一温度之间的差超过阈值时,触发所述警示。
12.根据权利要求8所述的用户接口,
其中所述信息包含与所述静电卡盘的第二加热器区域相关联的第二温度。
13.根据权利要求12所述的用户接口,其中所述第二温度由第二温度控制器所确定,所述第二温度控制器被配置成:
感测在与所述第二加热器区域相关联的第二加热器迹线两端的电压差;
感测所述第二加热器迹线中的电流;
基于所述第二加热器迹线内的所述电压差以及在所述第二加热器迹线内感测到的所述电流来识别所述第二加热器迹线的电阻;以及
基于所述电阻以及所述第二加热器迹线的相关函数来估计所述第二加热器区域的所述第二温度。
14.根据权利要求12所述的用户接口,其中所述第一加热器区域与所述第二加热器区域处于不同的水平面上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造