[发明专利]真空泵及该真空泵的控制装置

说明书

提供实现在不使用固封件的情况下廉价地水滴难以侵入的构造、且具备泵主体和控制装置容易分离而容易保养的构造的真空泵及该真空泵的控制装置。从基座部（129）的周围等泄漏的水滴侵入间隙（220）。特别地，盖（219）被拆卸时水滴容易侵入。该情况下有水滴流向凹部（200b）的可能性，但中空板状部（221a）相对于凹部（200b）在金属面彼此间被密封固接，所以水滴不侵入控制装置（200）内部。此外，筒状部件（221）形成为将间隙（220）贯通而比间隙（220）的厚度高，所以在间隙（220）处溢出的水滴也不从筒状部件（221）的内侧侵入。进而，即使在水滴在板（150）的上表面的情况下，由于筒状部件（221）被比板（150）的上表面高地突出设置，所以越过筒状部件（221）地侵入的可能也少。

技术领域

本发明涉及真空泵及该真空泵的控制装置，特别地，涉及在不使用固封件的情况下廉价地实现水滴难以侵入的构造、且具备泵主体和控制装置容易分离而容易保养的构造的真空泵及该真空泵的控制装置。

背景技术

随着近年的电子学的发展，存储器、集成回路等半导体的需求急剧增大。

这些半导体通过对纯度极高的半导体基板掺杂杂质来赋予电气性质，或通过蚀刻来在半导体基板上形成精密的回路等来被制造。

并且，这些作业为了避免空气中的灰尘等带来的影响而需要在高真空状态的腔内进行。该腔的排气一般使用真空泵，但特别地，从残留气体少而保养容易等方面出发，多使用作为真空泵中的一个涡轮分子泵。

此外，半导体的制造工序中，使各种各样的工艺气体对半导体的基板作用的工序数量较多，涡轮分子泵不仅被用于使腔内为真空，也被用于将这些工艺气体从腔内排出。

该涡轮分子泵由泵主体和控制该泵主体的控制装置构成。并且，以往，为了省略连接泵主体和控制装置间的外部缆线，已知专利文献1、专利文献2那样地控制装置与泵主体的侧部、底部一体化的结构。

专利文献1：日本特开2006-250033号公报。

专利文献2：日本特开2018-115631号公报。

但是，在泵主体、半导体制造装置处设置基于水冷的冷却机构较多。因此，控制装置与泵主体的侧部一体化的情况下，有漏水或在泵主体的周围结露等时水滴侵入控制装置的可能。因此，控制装置处需要具备防滴构造，专利文献1的情况下在控制装置的盒和基座部之间配设有水密用的固封件。

然而，该水密用的固封件价格高，所以成为成本上升的要因。

此外，一体化的泵主体和控制装置在仅欲改变内部的回路等保养时有在现场分离的情况。因此，希望设置成如上所述地具备防滴构造且也容易分离容易处理的构造。

进而，像专利文献2这样，以泵主体和控制单元的隔热为目的在泵主体的底面(下表面)和控制单元的盖板之间设置有间隙σ的情况下，控制装置的分离时，有来自冷却机构的漏水、由结露等引起的水滴穿过间隙σ侵入控制装置的可能。

发明内容

本发明是鉴于这样的以往的问题而作出的，其目的在于，提供在不使用固封件的情况下廉价地实现水滴难以侵入的构造、且具备泵主体和控制装置容易分离而容易保养的构造的真空泵及该真空泵的控制装置。

因此，本发明(技术方案1)是一种真空泵，泵主体和控制该泵主体的控制装置为一体的，其特征在于，在前述控制装置处具备筒状部，前述筒状部从该控制装置的壳体突出，将前述泵主体和前述控制装置间连结的缆线穿过前述筒状部的内侧，该筒状部的高度超过形成于前述泵主体的底部和前述控制装置的壳体间的间隙的高度。

泵主体的周围有由于水冷管的冷却而发生结露的情况。此外，保养时也有水滴从水冷管泄漏的可能。泄漏的水滴侵入间隙的可能性高。筒状部的高度超过在泵主体的底部和控制装置的壳体间形成的间隙的高度，所以在间隙处溢出的水滴不会从筒状部的内侧侵入。