[发明专利]多间隔图案化方案

权利要求书

1.一种用于在基板上形成多个特征的方法，包括以下步骤：

在基板上形成心轴层；

在所述心轴层上共形地形成间隔层，其中所述间隔层是掺杂的硅材料；和

图案化所述间隔层。

2.如权利要求1所述的方法，其中图案化所述间隔层的步骤进一步包括以下步骤：

供应包括含卤素气体的第一气体混合物；和

在所述第一气体混合物中施加第一RF源功率设定。

3.如权利要求2所述的方法，进一步包括以下步骤：

在供应所述第一气体混合物的同时，将所述第一RF源功率设定切换为第二RF源功率设定，其中所述第二RF源功率设定大于所述第一RF源功率设定。

4.如权利要求2所述的方法，进一步包括以下步骤：

在所述第一气体混合物中施加第一RF偏压功率设定；和

在供应所述第一气体混合物的同时，将所述第一RF偏压功率设定切换为第二RF偏压功率设定，其中所述第二RF偏压功率设定小于所述第一RF偏压功率设定。

5.如权利要求2所述的方法，进一步包括以下步骤：

供应第二气体混合物，其中所述第二气体混合物包括含氧气体。

6.如权利要求5所述的方法，进一步包括以下步骤：

在供应所述第二气体混合物的同时，施加第三RF源功率设定，其中在供应所述第一气体混合物的同时，所述第三RF源功率设定大于所述第一源功率设定和所述第二源功率设定。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述间隔层的所述掺杂的硅材料选自由III族、IV族或V族掺杂的硅材料所组成的组。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述间隔层的所述掺杂的硅材料是硼掺杂的硅材料。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述心轴层包括由有机材料形成的光刻胶层。

10.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：

在图案化的所述间隔层上形成衬垫层，其中所述衬垫层由不同于所述间隔层的材料制成。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述衬垫层是氧化硅层。

12.一种用于在基板上形成多个特征的方法，包括以下步骤：

在基板上的心轴层上共形地形成间隔层，其中所述间隔层是掺杂的硅材料；

使用第一气体混合物选择性地移除所述间隔层的一部分；和

使用不同于所述第一气体混合物的第二气体混合物选择性地移除所述心轴层。

13.如权利要求12所述的方法，选择性地移除所述间隔层的所述部分进一步包括以下步骤：

在供应所述第一气体混合物的同时，施加第一RF源功率设定；和

随后在继续供应所述第一气体混合物的同时，施加与所述第一RF源功率不同的第二RF源功率设定，其中所述第二RF源功率大于所述第一RF源功率。

14.如权利要求12所述的方法，其中选择性地移除所述间隔层的所述部分进一步包括以下步骤：

在供应所述第一气体混合物的同时，施加第一RF偏压功率设定；和

随后在继续供应所述第一气体混合物的同时，施加与所述第一RF源功率不同的第二RF偏压功率设定，其中所述第二RF偏压功率小于所述第一RF偏压功率。

15.一种用于在基板上形成多个特征的方法，包括以下步骤：

在基板上的心轴层上共形地形成间隔层，其中所述间隔层是掺杂的硅材料，其中所述心轴层由有机材料制成，其在高达200摄氏度的热处理条件下维持；

使用第一气体混合物选择性地移除所述间隔层的一部分；和

使用不同于所述第一气体混合物的第二气体混合物选择性地移除所述心轴层。