[发明专利]具有降低奇偶效应的矩阵检测器在审

专利信息
申请号: 202080021523.8 申请日: 2020-02-06
公开(公告)号: CN113574859A 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: 大卫·布朗雄;费日春 申请(专利权)人: 爱色乐居
主分类号: H04N5/376 分类号: H04N5/376;H03K17/06;G09G3/36;G11C19/28
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 谭营营;王天鹏
地址: 法国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 降低 奇偶 效应 矩阵 检测器
【权利要求书】:

1.一种矩阵阵列检测器,包括:

-按照行(L)和列布置成阵列的一组像素,每个像素(P)能够根据物理效应生成信号;

-信号发生器(GSI),其被配置为生成相对于彼此相移的两个时钟信号(CK1、CK2);

-行寻址设备,包括移位寄存器(SR),所述移位寄存器(SR)包括按级联布置的多个级(ET),每个级(ET)能够从一级到另一级交替接收所述两个时钟信号(CK1、CK2)中的一个时钟信号,并且能够递送中间输出信号(OUTn),所述中间输出信号能够取高电平(Von)和低电平(Voff),以分别允许激活和停用行中的像素,

所述信号发生器(GSI)还被配置为生成第三时钟信号(CK3),所述寻址设备还包括:多个隔离电路(ISL),每个隔离电路(ISL)连接在每个级(ET)和所述矩阵的对应行(LI)之间,并且其被配置为接收所述第三时钟信号(CK3),所述隔离电路(ISL)被配置为递送选择信号(OUT_LINE_n),所述选择信号用于在所述中间输出信号(OUTn)和所述第三时钟信号(CK3)处于高电平(Von)时选择所述矩阵的对应行,

其中所述隔离电路(ISL)包括:输入端子(BE),其能够接收所述中间输出信号(OUTn);输出端子(BS),其被配置为递送所述选择信号(OUT_LINE_n);被称为隔离晶体管的第一晶体管(TFT6),其栅极经由二极管接法晶体管(TFTD)连接到所述输入端子(BE),其源极连接到所述输出端子(BS),并且其漏极连接以接收所述第三时钟信号(CK3);以及升压电容器(C_GDFD),其布置在所述第一隔离晶体管(TFT6)的栅极和源极之间,

其特征在于,

所述隔离电路(ISL)包括被称为隔离晶体管的第二晶体管(TFT_RF),其被配置为当所述升压电容器(C_GDFD)关闭时将所述输出端子(BS)与所述升压电容器(C_GDFD)隔离。

2.根据权利要求1所述的矩阵阵列检测器,其中

所述隔离电路(ISL)包括连接在所述第一隔离晶体管(TFT6)的栅极和所述输出端子(BS)之间的阻抗降低电路(LOWZ),并且其被配置为当选择信号(OUT_LINE_n)处于低电平(Voff)时维持所述行(L)的电位处于所述低电平(Voff)处。

3.根据权利要求2所述的矩阵阵列检测器,其中所述阻抗降低电路(LOWZ)包括:

-所述阻抗降低电路的第一晶体管(TFT7),其漏极连接到所述第一隔离晶体管(TFT6)的源极,其源极连接到对应于所述低电平的电压源(Voff),并且其栅极连接到所述第一隔离晶体管(TFT6)的栅极;

-所述阻抗降低电路的第二晶体管(TFT8),其漏极和栅极连接到所述第一隔离晶体管(TFT6)的栅极,并且其源极连接到对应于所述低电平的电压源(Voff);以及

-所述阻抗降低电路的第三晶体管(TFT9),其由所述信号发生器(GSI)递送的第一控制信号(CMD_LZ)控制,并且其漏极连接到所述第一隔离晶体管(TFT6)的栅极。

4.根据权利要求3所述的矩阵阵列检测器,其中

每个级(ET)包括第一复位晶体管(TFT2),其被配置为同时停用所有行的像素,其栅极由所述信号发生器(GSI)提供的复位信号(RST)的脉冲来控制。

5.根据权利要求4所述的矩阵阵列检测器,其中

每个隔离电路(ISL)包括第二复位晶体管(TFT10),其被配置为同时激活所有行的像素,其栅极由所述复位信号(RST)的脉冲控制,并且其源极能够接收第二控制信号(VOFF_RG)。

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