[发明专利]用于蚀刻反应器的涡轮分子泵和阴极组件在审
申请号: | 202080021549.2 | 申请日: | 2020-03-13 |
公开(公告)号: | CN113574649A | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 索斯藤·利尔;马里施·格雷戈尔 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;F04D19/04;H01L21/687;H01J37/32 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 樊英如;张静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 蚀刻 反应器 涡轮 分子 阴极 组件 | ||
1.一种处理室系统,其包括:
处理室,其包括:
气体端口,其用于将气体引导至所述处理室的上部区域中;以及
台架,其设置在所述处理室内、所述气体端口下;以及
泵,其配置在所述处理室的下部区域处以将所述气体从所述处理室移除,所述泵包括芯部,所述芯部具有设置在其中的通道,
其中所述台架包括被配置成保持衬底的卡盘和从所述卡盘延伸的杆部,所述杆部被配置成穿过所述芯部中的所述通道。
2.根据权利要求1所述的处理室系统,其中:
所述处理室的所述下部区域具有开口,所述开口被配置成与所述通道对准并且容纳所述杆部,以及
一或多个螺旋沟槽形成在与所述芯部的内表面相对的所述杆部中,每个螺旋沟槽具有提供泵抽作用以抵销所述气体在介于所述杆部与所述芯部之间的间隙内从所述泵的排气口至所述处理室的回流的尺寸。
3.根据权利要求1所述的处理室系统,其中:
所述处理室的所述下部区域具有开口,所述开口被配置成与所述通道对准并且容纳所述杆部,以及
一或多个螺旋沟槽形成在与所述芯部的内表面中,每个螺旋沟槽具有提供泵抽作用以抵销所述气体在介于所述杆部与所述芯部之间的间隙内以中间且粘性流动的状态从所述泵的排气口至所述处理室的回流的尺寸。
4.根据权利要求1所述的处理室系统,其中:
所述台架相对于所述气体端口对称地设置在所述处理室内,所述泵的所述芯部与所述杆部在所述气体端口下方沿着中心线对准。
5.根据权利要求1所述的处理室系统,其中:
所述处理室的侧壁具有开口,所述衬底被配置成在蚀刻之前将所述衬底装载至所述卡盘上以及在蚀刻之后将所述衬底从所述卡盘卸除期间通过所述开口。
6.根据权利要求5所述的处理室系统,其中:
所述台架能在下部位置与上部位置之间移动,在所述下部位置处能够将所述衬底装载至所述台架上或从所述台架卸除,在所述上部位置处将所述衬底定位以进行处理。
7.根据权利要求6所述的处理室系统,其还包括:
泵筛网,其设置在所述处理室中,所述泵筛网具有开口,所述台架当位于所述上部位置中时被设置成通过所述开口。
8.根据权利要求7所述的处理室系统,其中:
位于所述泵筛网内的所述开口是能调整的。
9.根据权利要求8所述的处理室系统,其中:
所述泵筛网由重叠的条板形成,所述开口通过调整至少一对条板之间的重叠度来进行调整。
10.根据权利要求1所述的处理室系统,其中:
所述处理室的所述下部区域具有开口,所述开口被配置成与所述通道对准并容纳所述杆部,以及
密封件围绕着所述泵的所述芯部以及所述台架的所述杆部而设置,所述密封件被配置成密封所述芯部中的所述通道。
11.根据权利要求1所述的处理室系统,其还包括:
行进停止件,其被配置成限制所述台架朝向所述泵的移动。
12.根据权利要求11所述的处理室系统,其中:
所述行进停止件具有设置在其中的孔洞,所述孔洞的尺寸被设计成使得所述卡盘的下部能从其中穿过,然而阻挡所述卡盘的上部。
13.根据权利要求11所述的处理室系统,其还包括:
室密封件,其设置在所述行进停止件或所述卡盘的下部中的一者上的沟槽中,所述室密封件被配置成将所述处理室的所述上部区域与所述处理室的所述下部区域隔离,使得在所述处理室的所述上部区域和所述下部区域中的压强彼此隔离,其中所述处理室的所述上部区域在所述行进停止件上方,而所述处理室的所述下部区域在所述行进停止件下方。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司,未经朗姆研究公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202080021549.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造