[发明专利]掩模坯料、转印用掩模的制造方法、及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种掩模坯料，其具有在基板上依次层叠有图案形成用薄膜和硬掩模膜的结构，

所述硬掩模膜由含有硅和氧的材料形成，

所述硬掩模膜的通过X射线光电子能谱法进行分析而得到的Si2p窄谱在103eV以上的键能具有最大峰，

所述硬掩模膜的通过X射线光电子能谱法进行分析而得到的N1s窄谱的最大峰为检测下限值以下，

所述硬掩模膜的硅与氧的含有比率以原子％计为Si:O小于1:2。

2.根据权利要求1所述的掩模坯料，其中，

所述硬掩模膜的通过X射线光电子能谱法进行分析而得到的O1s窄谱在532eV以上的键能具有最大峰。

3.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其中，

所述硬掩模膜的通过X射线光电子能谱法进行分析而得到的O1s窄谱在小于533eV的键能具有最大峰。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的掩模坯料，其中，

通过X射线光电子能谱法对所述硬掩模膜的表面进行分析而得到的Si2p窄谱中成为最大峰的键能、与通过X射线光电子能谱法对所述硬掩模膜的内部进行分析而得到的Si2p窄谱中成为最大峰的键能之差为0.2eV以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的掩模坯料，其中，

通过X射线光电子能谱法对所述硬掩模膜的表面进行分析而得到的O1s窄谱中成为最大峰的键能、与通过X射线光电子能谱法对所述硬掩模膜的内部进行分析而得到的O1s窄谱中成为最大峰的键能之差为0.1eV以下。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的掩模坯料，其中，

所述硬掩模膜的通过X射线光电子能谱法进行分析而得到的Si2p窄谱在97eV以上且100eV以下的键能的范围不具有峰。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的掩模坯料，其中，

所述硬掩模膜的氧的含量为60原子％以上。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的掩模坯料，其中，

所述硬掩模膜由含有硅和氧的材料形成，或者由含有选自除氮以外的非金属元素及半金属元素中的一种以上元素、硅及氧的材料形成。

9.根据权利要求1～7中任一项所述的掩模坯料，其中，

所述图案形成用薄膜由含有选自铬、钽及镍中的一种以上元素的材料形成。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的掩模坯料，其中，

所述图案形成用薄膜为遮光膜。

11.根据权利要求10所述的掩模坯料，其中，

在所述基板与所述遮光膜之间具备相移膜。

12.根据权利要求1～9中任一项所述的掩模坯料，其中，

所述图案形成用薄膜为吸收体膜。

13.一种转印用掩模的制造方法，其是使用权利要求1～12中任一项所述的掩模坯料的转印用掩模的制造方法，该方法包括：

将形成于所述硬掩模膜上的具有转印图案的抗蚀膜作为掩模，通过使用氟类气体的干法蚀刻在所述硬掩模膜上形成转印图案的工序；以及

将形成有所述转印图案的硬掩模膜作为掩模，通过使用含有氯的气体的干法蚀刻在所述图案形成用薄膜上形成转印图案的工序。

14.根据权利要求13所述的转印用掩模的制造方法，其中，

所述使用含有氯的气体的干法蚀刻是使用提高了氯类气体的比率的含有氧的氯类气体、且在施加了高偏压的状态下进行的干法蚀刻。

15.根据权利要求13所述的转印用掩模的制造方法，其中，

所述使用含有氯的气体的干法蚀刻是使用不含氧的氯类气体、且在施加了高偏压的状态下进行的干法蚀刻。

16.一种半导体器件的制造方法，该方法包括下述工序：

使用通过权利要求13～15中任一项所述的转印用掩模的制造方法制造的转印用掩模，将转印图案曝光转印至待形成半导体器件的基板上的抗蚀膜。