[发明专利]RF半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种设备，包括：

·传递装置管芯，所述传递装置管芯包括装置区域和传递衬底，其中：

·所述装置区域包含前段制程(FEOL)部分和位于所述FEOL部分之下的后段制程(BEOL)部分，其中所述FEOL部分包括隔离区段和有源层，所述有源层被所述隔离区段围绕并且未竖直延伸超过所述隔离区段；

·所述装置区域的顶表面是平坦化的；并且

·包括多孔硅(PSi)区域的所述传递衬底位于所述装置区域的所述顶表面之上，其中所述PSi区域的孔隙度为1％至80％；以及

·多层重新分布结构，所述多层重新分布结构形成于所述传递装置管芯的所述BEOL部分之下，其中所述多层重新分布结构包括多个凸起结构，所述多个凸起结构位于所述多层重新分布结构的底表面上并且电耦接到所述传递装置管芯的所述FEOL部分。

2.根据权利要求1所述的设备，其中在所述传递衬底的所述PSi区域与所述装置区域内的所述有源层之间不存在不具有锗、氮或氧含量的硅晶体。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述PSi区域的热导率大于2W/m·K并且电阻率大于100Ohm-cm。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述PSi区域的厚度为20μm至1000μm。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述传递衬底进一步包括硅处理区域，所述硅处理区域位于所述PSi区域之上。

6.根据权利要求5所述的设备，其中所述PSi区域的厚度为20μm至1000μm，并且所述硅处理区域的厚度为至100μm。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述有源层由应变硅外延层形成，在300K的温度下，所述应变硅外延层中的硅的晶格常数大于5.461。

8.根据权利要求1所述的设备，其中：

·所述BEOL部分包括连接层；

·所述FEOL部分进一步包括接触层，其中所述有源层和所述隔离区段位于所述接触层之上，并且所述BEOL部分位于所述接触层之下；并且

·所述多层重新分布结构进一步包括重新分布互连部，其中所述多个凸起结构通过所述多层重新分布结构内的所述重新分布互连部和所述BEOL部分内的所述连接层电耦接到所述传递装置管芯的所述FEOL部分。

9.根据权利要求1所述的设备，其中所述装置区域进一步包含钝化层，所述钝化层位于所述有源层之上并且被所述隔离区段围绕，其中：

·所述钝化层由二氧化硅形成；并且

·每个隔离区段的顶表面和所述钝化层的顶表面共面并形成所述装置区域的所述顶表面。

10.根据权利要求1所述的设备，其中每个隔离区段的顶表面和所述有源层的顶表面共面并形成所述装置区域的所述顶表面。

11.根据权利要求1所述的设备，其中所述传递装置管芯进一步包括由氮化硅形成的阻挡层，所述阻挡层耦接在所述装置区域的所述顶表面与所述传递衬底的所述PSi区域之间。