[发明专利]氮化硅粉末及其制造方法、以及氮化硅烧结体的制造方法在审
| 申请号： | 202080022939.1 | 申请日： | 2020-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN113614035A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 中村祐三;宫下敏行 | 申请（专利权）人： | 电化株式会社 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068;C04B35/593 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 牛蔚然 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 粉末 及其 制造 方法 以及 烧结 | ||
【权利要求书】：
1.氮化硅粉末，其内部氧量为0.6质量％以下。
2.根据权利要求1所述的氮化硅粉末，其中，表面氧量为所述内部氧量以下。
3.根据权利要求1所述的氮化硅粉末，其中，表面氧量比所述内部氧量大。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的氮化硅粉末，其中，表面氧量相对于内部氧量之比为0.8以上。
5.氮化硅粉末的制造方法，其具有：
将氧浓度为0.4质量％以下的硅粉末在包含氮与选自由氢及氨组成的组中的至少一者的混合气氛下进行烧成而制得烧成物的工序；和
使用氟化氢浓度为10～40质量％的氢氟酸对所述烧成物进行处理的工序。
6.根据权利要求5所述的氮化硅粉末的制造方法，其中，内部氧量为0.6质量％以下。
7.氮化硅烧结体的制造方法，其具有对包含由权利要求5或6制造的氮化硅粉末的烧结原料进行成型并烧成的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电化株式会社，未经电化株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202080022939.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于光学发射光谱法的改进的火花台
- 下一篇：处理点云的缺失点
