[发明专利]开关装置、电压供应系统、开关装置操作方法和制造方法在审

专利信息
申请号: 202080023306.2 申请日: 2020-03-19
公开(公告)号: CN113613937A 公开(公告)日: 2021-11-05
发明(设计)人: 亚历山大·伊梅尔;斯特凡·琼安·霍芬格尔 申请(专利权)人: 利萨·德雷克塞迈尔有限责任公司
主分类号: B60L3/00 分类号: B60L3/00;H03K17/08;H03K17/567;H03K17/16;H02J7/00
代理公司: 北京卓孚律师事务所 11821 代理人: 任宇;熊雪梅
地址: 德国菲*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 开关 装置 电压 供应 系统 操作方法 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种用于为电负载(151、251、351)供应电能的供电线路(150、250、350)的开关装置(100、200、300),具有:

功率输入端(101、201),

功率输出端(102、202),

受控开关元件(103、203、303),所述受控开关元件被电布置在所述功率输入端(101、201)和所述功率输出端(102、202)之间,并且被设计为以受控方式将所述功率输入端(101、201)与功率输出端(102、202)电耦合,和

可调电阻(104、204、304),所述可调电阻被布置为与所述受控开关元件(103、203、303)电并联并且被设计为用于在断开受控开关元件(103、203、303)并且在所述功率输入端(101、201)和所述功率输出端(102、202)之间出现电压峰值时将所述功率输入端(101、201)与所述功率输出端(102、202)电连接。

2.根据权利要求1所述的开关装置(100、200、300),其中,所述受控开关元件(103、203、303)具有半导体开关,特别是MOSFET(206),或至少两个半导体开关的并联连接,特别是MOSFET的并联连接。

3.根据前述权利要求中任一项所述的开关装置(100、200、300),其中,所述可调电阻(104、204、304)具有半导体开关元件,其中,所述半导体开关元件的功率输入端(101、201)与所述开关装置(100、200、300)的功率输入端(101、201)耦合,并且其中,所述半导体开关元件的功率输出端(102、202)与所述开关装置(100、200、300)的功率输出端(102、202)耦合。

4.根据前述权利要求中任一项所述的开关装置(100、200、300),该开关装置具有控制输入端(205),

其中,所述受控开关元件(103、203、303)的开关输入端经由第一串联电阻(315)与所述控制输入端(205)耦合,和/或

其中,所述可调电阻(104、204、304)的控制输入端经由第二串联电阻(316)与所述控制输入端(205)耦合。

5.根据前述权利要求中中任一项所述的开关装置(100、200、300),其中所述可调电阻(104、204、304)被设计为IGBT(207、307),并且

其中,在开关装置(100、200、300)的功率输入端(101、201)和IGBT(207、307)的控制输入端之间反向偏置地布置齐纳二极管(208、308)。

6.根据权利要求5的开关装置(100、200、300),其中所述齐纳二极管(208、308)的尺寸被设计为使得它的击穿电压低于所述受控开关元件(103、203、303)允许的最大电压。

7.根据前述权利要求中任一项所述的开关装置(100、200、300),该开关装置具有阻尼元件(317),特别是电容(318)和电阻(319)的串联连接,所述阻尼元件被布置在所述开关装置(100、200、300)的功率输入端(101、201)和所述开关装置(100、200、300)的功率输出端(102、202)之间。

8.一种用于为电负载(151、251、351)供应电能的电压供应系统(210、310),包括:

电能量源(211、311),

根据前述权利要求中任一项所述的开关装置(100、200、300),

其中所述开关装置(100、200、300)的功率输入端(101、201)与所述能量源(211、311)的正向功率输出端(102、202)耦合,并且其中所述开关装置(100、200、300)的功率输出端(102、202)能够与电负载的正向负载端子耦合。

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