[发明专利]用于机器学习辅助的光学邻近效应误差校正的训练方法

说明书

本文描述的是一种确定用于训练机器学习模型以预测光学邻近效应校正的代表图案的方法。所述方法包括：获得包括一组图案群组的设计布局，每个图案群组包括一个或更多个子群组；确定所述一组图案群组中的一组代表图案，所述代表图案是其实例出现于所述一组图案群组中的子群组；经由使用所述一组代表图案来模拟光学邻近效应校正过程，获得与所述一组代表图案相关联的参考光学邻近效应校正数据；和训练机器学习模型，以基于所述一组代表图案和所述一组参考光学邻近效应校正数据来预测针对所述设计布局的光学邻近效应校正。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年3月21日提交的美国申请62/821,789的优先权，所述申请的全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

本文的描述涉及光刻设备和过程,且更具体地涉及用于对设计布局进行光学邻近效应误差校正的工具和方法。

背景技术

光刻设备可以用于例如集成电路(IC)或其它器件的制造中。在这种情况下，图案形成装置(例如，掩模)可以包括或提供与器件的单层对应的图案(“设计布局”)，并且此图案可以通过诸如穿过所述图案形成装置上的所述图案来照射已经涂覆有辐射敏感材料(“抗蚀剂”)层的衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或更多个管芯)的方法，被转印到所述目标部分上。一般而言，单个衬底包括由所述光刻设备以一次一个目标部分的方式连续地将所述图案转印到其上的多个相邻目标部分。在一种类型的光刻设备中，整个图案形成装置上的图案被一次转印到一个目标部分上；这样的设备通常称作为步进器。在一种替代的设备(通常称为步进扫描设备)中，投影束沿给定的参考方向(“扫描”方向)在图案形成装置之上扫描，同时沿与所述参考方向平行或反向平行的方向同步地移动所述衬底。所述图案形成装置上的图案的不同部分被逐渐地转印到一个目标部分上。因为通常所述光刻设备将具有放大因数M(通常＜1)，所以所述衬底被移动的速度F将是所述投影束扫描所述图案形成装置的速度的M倍。

在器件制造过程中的将图案从所述图案形成装置转印至所述衬底的器件制作工序之前，所述衬底可能经历所述器件制造过程的各种器件制作工序，诸如涂底料、抗蚀剂涂覆以及软焙烤。在曝光之后，所述衬底可能经受器件制造过程的其它器件制作工序，诸如曝光后焙烤(PEB)、显影、和硬焙烤。这一系列的器件制作工序被用作为制造器件(例如IC)的单个层的基础。所述衬底之后可能经历器件制造过程的各种器件制作工序，诸如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光等，所有的这些工序都旨在最终完成所述器件的单个层。如果器件需要多个层，则针对每一层重复整个过程或其变形。最终，器件将存在于所述衬底上的每一目标部分中。如果存在多个器件，则之后通过诸如切片或锯割等技术，使这些器件彼此分离，据此单个的器件能够安装在载体上，连接至引脚，等等。

因此，制造器件(诸如半导体器件)典型地涉及使用多个制作过程来处理衬底(例如，半导体晶片)，以形成所述器件的各种特征和多个层。这些层和特征典型地使用例如沉积、光刻、蚀刻、化学机械抛光、和离子注入来制造和处理。可以在衬底上的多个管芯上制作多个器件，之后将它们分离成单独的器件。这种器件制造过程可以被认为是图案化过程。图案化过程涉及图案化步骤，诸如使用光刻设备的光学和/或纳米压印光刻术，以将图案提供到衬底上，而且图案化过程典型地但可选地涉及一个或更多个相关的图案处理步骤，诸如通过显影设备进行抗蚀剂显影、使用焙烤工具来焙烤所述衬底、使用蚀刻设备来蚀刻所述图案等。而且，所述图案化过程典型地涉及一个或更多个量测过程。

发明内容

在实施例中，提供了一种确定用于训练机器学习模型以预测光学邻近效应校正的代表图案的方法。所述方法包括：获得包括一组图案群组的设计布局，每个图案群组包括一个或更多个子群组；确定所述一组图案群组中的一组代表图案，代表图案是其示例出现于所述一组图案中的子群组；经由使用所述一组代表图案来模拟光学邻近效应校正过程，获得与所述一组代表图案相关联的参考光学邻近效应校正数据；和训练机器学习模型，以基于所述一组代表图案和一组参考光学邻近效应校正数据来预测针对所述设计布局的光学邻近效应校正。