[发明专利]基板和材料表征方法及装置在审

专利信息
申请号: 202080023331.0 申请日: 2020-02-07
公开(公告)号: CN113614520A 公开(公告)日: 2021-11-05
发明(设计)人: 卡迈勒·萨曼塔 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: G01N22/00 分类号: G01N22/00;H01P3/12
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 吴孟秋
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 材料 表征 方法 装置
【说明书】:

装置包括具有导电形成结构的平面基板,该导电形成结构限定基板集成波导测试谐振器;测试谐振器包括至少部分地形成在基板内的三维区域,该区域具有平行于基板的平面延伸的第一和第二平面导电层,以及一个或多个垂直于基板的平面的导电侧壁形成结构,限定绕三维区域延伸的谐振器侧壁围;其中,第一和第二平面导电层中的一个包括测试端口,该测试端口包括与该平面导电层的其余部分电隔离的导电测试连接。

技术领域

本公开涉及基板和材料表征方法以及装置。

背景技术

本文中提供的“背景技术”描述是为了总体上呈现本公开的上下文的目的。在该背景技术部分中描述的范围内的目前指定的发明人的工作以及在提交时可能未被限定为现有技术的描述的各方面不被明确地或默认地承认为本公开的现有技术。

微波或其他高频信号处理组件利用波导形成结构(formation)来提供信号处理功能。

在基板上提供微波或其他高频组件的情况下,它们的性能可以取决于基板的电介质和其他特性。因此,需要检测那些特性,或者换句话说,需要“表征”基板或至少基板的材料形成部分(例如层)。

发明内容

本公开提供了装置,包括:

具有导电形成结构的平面基板,限定基板集成波导测试谐振器;

测试谐振器,包括至少部分地形成在基板内的三维区域,三维区域具有平行于基板的平面延伸的第一和第二平面导电层,以及垂直于基板的平面的一个或多个导电侧壁形成结构,限定围绕三维区域延伸的谐振器侧壁;

其中第一和第二平面导电层中的一个包括测试端口,测试端口包括与该平面导电层的其余部分电隔离的导电测试连接。

本公开还提供了基板测试系统,包括:

上文定义的装置;以及

测试装置,可连接到导电测试形成结构与第一和第二平面导电层中的一个,并包括被配置为在测试谐振器内激发电磁振荡的电路,测试装置被配置为通过检测测试谐振器的一个或多个谐振特性来表征基板的一个或多个电介质特性。

本公开还提供了方法,包括:

在平面基板中形成测试谐振器,平面基板具有导电形成结构,导电形成结构限定基板集成波导测试谐振器,测试谐振器包括至少部分地形成在基板内的三维区域,三维区域具有平行于基板的平面延伸的第一和第二平面导电层,以及垂直于基板的平面的一个或多个导电侧壁形成结构,限定围绕三维区域延伸的谐振器侧壁;

在第一和第二平面导电层中的一个中形成测试端口,包括测试端口,该测试端口包括与平面导电层的其余部分电隔离的导电测试连接;

将测试装置连接到导电测试形成结构以及第一和第二平面导电层中的一个;

在测试谐振器内激发电磁振荡;以及

通过检测测试谐振器的一个或多个谐振特性来表征基板的一个或多个电介质特性。

在所附的权利要求中进一步定义了本公开的各个方面和特征。

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