[发明专利]RF半导体装置和其制造方法

权利要求书

1.一种设备，其包括：

·模制装置管芯，所述模制装置管芯包括装置区域、阻挡层和第一模制化合物，其中：

·所述装置区域包含前段制程(FEOL)部分和位于所述FEOL部分之下的后段制程(BEOL)部分，其中所述FEOL部分包括隔离区段和有源层，所述有源层被所述隔离区段围绕并且未竖直延伸超过所述隔离区段；

·所述阻挡层连续地位于所述有源层的顶表面和所述FEOL部分的所述隔离区段的顶表面之上，其中所述阻挡层由氮化硅形成；并且

·所述第一模制化合物位于所述阻挡层之上，其中在所述第一模制化合物与所述有源层之间不存在不具有锗、氮或氧含量的硅晶体；以及

·多层重新分布结构，所述多层重新分布结构形成于所述模制装置管芯的所述BEOL部分之下，其中所述多层重新分布结构包括多个凸点结构，所述多个凸点结构位于所述多层重新分布结构的底表面上并且电耦接到所述模制装置管芯的所述FEOL部分。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述有源层由应变硅外延层形成，在300K的温度下，所述应变硅外延层中的硅的晶格常数大于5.461。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述阻挡层的厚度介于与10μm之间。

4.根据权利要求1所述的设备，其中：

·所述BEOL部分包括连接层；

·所述FEOL部分进一步包括接触层，其中所述有源层和所述隔离区段位于所述接触层之上，并且所述BEOL部分位于所述接触层之下；并且

·所述多层重新分布结构进一步包括重新分布互连件，其中所述多个凸点结构通过所述多层重新分布结构内的所述重新分布互连件和所述BEOL部分内的所述连接层电耦接到所述模制装置管芯的所述FEOL部分。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述隔离区段竖直延伸超过所述有源层的所述顶表面，以在所述隔离区段内和所述有源层之上限定开口，其中所述阻挡层覆盖所述开口内的暴露表面。

6.根据权利要求5所述的设备，其中所述模制装置管芯进一步包括钝化层，所述钝化层位于所述有源层的所述顶表面之上并且位于所述开口内，其中：

·所述钝化层由二氧化硅形成；并且

·所述阻挡层直接位于所述钝化层之上。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述阻挡层直接位于所述有源层的所述顶表面之上。

8.根据权利要求1所述的设备，其中每个隔离区段的顶表面和所述有源层的所述顶表面共面，其中所述第一模制化合物位于所述有源层和所述隔离区段两者之上。

9.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一模制化合物的热导率大于1W/m·K。

10.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一模制化合物的介电常数小于8。

11.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一模制化合物的介电常数介于3与5之间。

12.根据权利要求1所述的设备，其中所述FEOL部分被配置成提供开关场效应晶体管(FET)、二极管、电容器、电阻器或电感器中的至少一个。