[发明专利]用于集成电路中的裸片到裸片通信的间隔件

说明书

一种多裸片集成电路器件及制造所述多裸片集成电路器件的方法涉及衬底。两个或多个裸片包括实现多裸片集成电路的功能的部件。这些部件包括逻辑门。多裸片集成电路器件还包括设置在衬底与两个或多个裸片中的每一个裸片之间的间隔件。两个或多个裸片中的每一个裸片与衬底直接电接触，而不与间隔件通过间隔件中的孔进行直接电接触。

背景技术

本发明涉及集成电路，并且更具体地涉及用于集成电路中的裸片(die)到裸片通信的间隔件。

典型地，集成电路是通过光刻工艺在单个晶片上生产的。晶片被切割(即，切成裸片)成许多片，每个片被称为裸片(die)。每个裸片通常是电路的副本。随着裸片继续变得更复杂并且尺寸增加，裸片产量减小。这是因为，对于给定的缺陷密度，裸片的增加的密度导致随机缺陷的更高机会。减少产量损失的方法涉及分裂裸片以减少密度且因此减少缺陷。然而，将单个裸片的部件分割成两个或更多个裸片需要在裸片之间以足够高的速率进行更大的通信。硅(Si)桥已经用于互连裸片，但是在组装时已经导致显著的挑战。互连裸片的Si中介层需要穿硅过孔(TSV)工艺，并且还导致组装挑战。此外，Si中介层还可能存在功率递送和信号完整性问题。

发明内容

本发明的实施例涉及多裸片集成电路器件和制造多裸片集成电路器件的方法，该多裸片集成电路器件涉及衬底和包括实现多裸片集成电路的功能的部件的两个或多个裸片。这些部件包括逻辑门。多裸片集成电路器件还包括设置在衬底与两个或多个裸片中的每一个裸片之间的间隔件。两个或多个裸片中的每一个裸片与衬底直接电接触，而不与间隔件通过间隔件中的孔直接电接触。

附图说明

参考以下附图和描述将更好地理解贯穿本文件所描述的实例。附图中的部件不一定是按比例的。此外，在附图中，贯穿不同视图，相同参考标号指代对应部分。

图1示出了根据本发明的实施例的用于裸片到裸片通信的间隔件；

图2示出了有助于裸片到裸片通信的间隔件的细节；

图3详述了有助于裸片到裸片通信的间隔件的各方面；

图4示出了根据本发明实施方式的具有用于裸片到裸片通信的间隔件的集成电路的截面图；

图5示出了根据本发明的实施例的包括电容器的用于裸片到裸片通信的间隔件的截面图；

图6是根据本发明的实施例的用于执行集成电路开发的系统的框图，该集成电路开发包括使用间隔件实现裸片到裸片的通信；并且

图7是根据本发明的实施例的制造包括间隔件的多裸片集成电路的方法的工艺流程。

具体实施方式

如前所述，将集成电路的部件从一个裸片分布到两个或更多个裸片可以减少每个裸片上的缺陷，并且因此减少产量损失。将集成电路功能分布到两个或更多个裸片上需要以足够高的速率进行裸片到裸片的通信。Si桥是裸片到裸片通信的现有方法。Si将一个裸片直接桥接到另一个裸片，并且在裸片接合的同一侧上。桥不与衬底电连接。内插器是另一种现有方法并且促进多个裸片之间的互连。电通路(例如，TSV)是内插器的一部分并且通过内插器形成电连接，并且内插器与衬底形成电连接。如前所述，Si桥和内插器存在组装挑战。本文中详述的本发明的实施例涉及用于集成电路中的裸片到裸片通信的间隔件。与内插器不同，根据本文详述的本发明的一个或多个实施例制造的间隔件不需要电通路。每一裸片具有导电柱，所述导电柱穿过间隔件的孔以在间隔件的与裸片的另一侧上直接接触衬底。