[发明专利]球状二氧化硅粉末在审
| 申请号： | 202080023678.5 | 申请日： | 2020-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN113614036A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 冈部拓人;深泽元晴 | 申请（专利权）人： | 电化株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/12 | 分类号： | C01B33/12;C01B33/18;C08K7/18;C08K9/04;C08L101/00;H01B3/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 崔兰;朝鲁门 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 球状 二氧化硅 粉末 | ||
1.一种球状二氧化硅粉末，其特征在于，配合于树脂而成型为片状后，由通过谐振器法在频率35～40GHz的条件下测定的该片材的介电损耗角正切即tanδc使用下述的式(I)计算的球状二氧化硅粉末的介电损耗角正切中，将介电损耗角正切降低处理前的球状二氧化硅粉末的介电损耗角正切即tanδfA设为A，将介电损耗角正切降低处理后的球状二氧化硅粉末的介电损耗角正切即tanδfB设为B时，B/A为0.70以下，介电损耗角正切降低处理后的球状二氧化硅粉末的比表面积为1～30m2/g，
数学式1
log(tanδc)＝Vf·log(tanδf)+(1-Vf)·log(tanδr)···式(I)
其中，式(I)中符号的含义如下，
Vf；片材中的球状二氧化硅粉末的体积分数，
tanδr；树脂片材的介电损耗角正切，所述树脂片材没有配合填料。
2.根据权利要求1所述的球状二氧化硅粒子，其中，所述介电损耗角正切降低处理包括将原料的球状二氧化硅粉末在500～1100℃的温度下进行使加热温度×加热时间为1000～26400℃·h的规定时间的加热处理，所述加热温度以℃计，所述加热时间以h即小时计。
3.根据权利要求1或2所述的球状二氧化硅粉末，其特征在于，平均圆度为0.85以上。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的球状二氧化硅粉末，其特征在于，用表面处理剂进行了表面处理。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的球状二氧化硅粉末，其在JIS Z 0208-1976的条件B的透湿度为0.1g/m2·24h以下的防潮袋中保存，JIS Z 0208-1976的条件B是温度40℃、相对湿度90％。
6.一种树脂片材，其特征在于，含有权利要求1～5中任一项所述的球状二氧化硅粉末。
7.一种保存方法，将权利要求1～4中任一项所述的球状二氧化硅粉末在JIS Z 0208-1976的条件B的透湿度为0.1g/m2·24h以下的防潮袋中保存，所述JIS Z 0208-1976的条件B是温度40℃、相对湿度90％。
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