[发明专利]使用分子化学成像的心力衰竭量化在审
申请号: | 202080023680.2 | 申请日: | 2020-02-04 |
公开(公告)号: | CN113631085A | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | J·K·科恩;J·C·波斯特;S·斯图尔特;P·J·川度;H·戈默;A·史密斯 | 申请(专利权)人: | 开米美景公司 |
主分类号: | A61B5/00 | 分类号: | A61B5/00;G01J3/02;G01J3/42;G01J3/28 |
代理公司: | 北京嘉和天工知识产权代理事务所(普通合伙) 11269 | 代理人: | 王维;严慎 |
地址: | 美国宾夕*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 分子 化学 成像 心力衰竭 量化 | ||
1.一种用于检测患者中的水肿的系统,所述系统包括:
光源,所述光源被配置为用光照射对象的组织;
图像检测器,所述图像检测器被配置为收集来自所述对象的组织的反射的光并且产生与所述反射的光相关联的数据;以及
处理装置,所述处理装置可操作地连接到所述图像检测器,并且被配置为:
接收与所述反射的光相关联的所述数据;
计算所述反射的光的强度;并且
确定所述对象的组织是否表现出水肿的症状。
2.如权利要求1所述的系统,其中所述处理装置被进一步配置为确定对于对照试样的对照测量值。
3.如权利要求2所述的系统,其中所述处理装置被进一步配置为:
将计算的所述反射的光的强度与所述对照测量值进行比较;并且
确定所述对象的水肿评分,其中所述水肿评分表示所述对象是否有水肿以及所述对象的水肿的严重性中的至少一个。
4.如权利要求1所述的系统,还包括至少一个滤光器,所述至少一个滤光器被配置为对所述反射的光进行滤光。
5.如权利要求4所述的系统,其中所述至少一个滤光器是可调谐滤光器,所述可调谐滤光器被配置为对特定的波长范围的所述反射的光进行滤光。
6.如权利要求4所述的系统,其中所述至少一个滤光器是以下中的至少一个:液晶可调谐滤光器(LCTF)、Fabry Perot可调谐滤光器、多共轭晶体可调谐滤光器和共形滤光器。
7.如权利要求1所述的系统,还包括多个可调谐滤光器。
8.如权利要求7所述的系统,其中所述多个可调谐滤光器被配置为将所述反射的光滤光到以下中的至少一个的波长范围:可见光(VIS)、近红外线(NIR)、可见光-近红外线(VIS-NIR)、短波红外线(SWIR)、扩展短波红外线(eSWIR)、近红外线-扩展短波红外线(NIR-eSWIR)、中波长红外线(MWIR)、长波长红外线(LWIR)、远红外线(FIR)、红外线(IR)和太赫兹辐射。
9.如权利要求1所述的系统,其中所述光源包括以下中的至少一个:白炽灯、卤素灯、发光二极管(LED)、化学激光器、固态激光器、有机发光二极管(OLED)、电致发光装置、荧光灯、气体释放灯、金属卤素灯、氙弧灯、感应灯、环境光源、或这些光源的任何组合。
10.如权利要求1所述的系统,其中所述图像检测器包括以下中的至少一个:Si CMOS、Si CCD、Ge CCD、Ge CMOS、InGaAs CCD、InGaAs CMOS、PtSi CCD、PtSi CMOS、HgCdTe CCD、HgCdTe CMOS、InSb CCD、InSb CMOS、CQD CCD或CQD CMOS。
11.如权利要求1所述的系统,其中所述处理器被进一步配置为融合来自两个或更多个成像模态的强度数据。
12.如权利要求11所述的系统,其中所述两个或更多个成像模态包括可见光图像、超光谱图像、短波红外线超光谱图像、中等波长红外线超光谱图像、长波长红外线超光谱图像、以及它们的组合。
13.如权利要求1所述的系统,还包括至少一个显示装置,所述至少一个显示装置可操作地连接到所述处理装置,并且被配置为显示从所述处理装置接收的一个或更多个图像,所述一个或更多个图像表示所述对象的组织。
14.如权利要求1所述的系统,其中所述系统还包括用于生成非成像光谱图的光学器件。
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