[发明专利]光电平台结构和制造光电平台结构的方法在审
申请号: | 202080023749.1 | 申请日: | 2020-03-26 |
公开(公告)号: | CN113678040A | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 艾伦·詹姆斯·丹诺;邱圣安;曹羽;蒂鲁马来·文凯·文卡特桑 | 申请(专利权)人: | 新加坡国立大学 |
主分类号: | G02B6/122 | 分类号: | G02B6/122;G02B6/132;G02B6/136;G02F1/355;G02F1/377 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 刘聪 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 平台 结构 制造 方法 | ||
1.一种光电平台结构,包括:
衬底,和
BaTiO3、BTO薄膜,所述BTO薄膜沉积在所述衬底的表面上并且具有适用于单模操作的厚度,所述单模操作具有一种或多种可能的偏振配置,在工作的波长或波长范围内在所述BTO薄膜中具有光学限制;
其中,所述衬底在垂直于所述衬底的所述表面的方向上提供垂直折射率限制,以用于实现在所述工作波长或波长范围内在所述BTO薄膜中的所述单模操作光学限制。
2.根据权利要求1所述的结构,其中,所述BTO处于松弛状态,其中应力从完全应变的BTO晶体部分地或完全地松弛。
3.根据权利要求1或2所述的结构,其中,所述衬底包括由以下各项组成的组中的一种:La0.3Sr0.7Al0.65Ta0.35O3(LSAT)、LaSrAlO4(LSAO)、DyScO3(DSO)和具有类似此类特性的钪酸盐族,例如/包括GdScO3、SmScO3、TbScO3、NdScO3、HoScO3、ErScO3、TmScO3、YbScO3、LuScO3、PrScO3、LaScO3、YScO3。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的结构,其中,所述BTO薄膜在所述衬底的所述表面形成为BTO波导。
5.根据权利要求4所述的结构,其中,所述BTO波导在所述衬底的所述表面上以BTO肋形波导的形式存在。
6.根据权利要求4或5所述的结构,被并入马赫-曾德尔调制器配置中。
7.根据权利要求4至6中任一项所述的结构,进一步包括在所述衬底的所述表面上在所述BTO波导的每一侧上形成的电极。
8.根据权利要求4至7中任一项所述的结构,进一步包括在所述BTO波导的输出端处的偏振滤光器。
9.根据权利要求8所述的结构,其中,所述BTO波导被配置为使得能够沿着垂直于所述BTO波导的c轴的轴施加电场以控制在所述BTO波导中传播的光的偏振,其中平面偏振在平面中定向为与垂直于所述c轴的所述轴相同。
10.根据权利要求9所述的结构,结合了基于偏振的光调制器。
11.一种制造光电平台结构的方法,所述方法包括以下步骤:
提供衬底,和
在所述衬底的表面上沉积BaTiO3、BTO薄膜,使所述BTO薄膜具有适用于单模操作的厚度,所述单模操作具有一种或多种可能的偏振配置,在工作的波长或波长范围内在所述BTO薄膜中具有光学限制;
其中,选择所述衬底以在垂直于所述衬底的所述表面的方向上提供垂直折射率限制,以用于实现在所述工作波长或波长范围内在所述BTO薄膜中的所述单模操作光学限制。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,所述BTO被沉积为处于松弛状态,其中应力从完全应变的BTO晶体部分地或完全地松弛。
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