[发明专利]用于锂离子电池阳极的组成调整的硅涂层在审
申请号: | 202080023849.4 | 申请日: | 2020-02-21 |
公开(公告)号: | CN113646923A | 公开(公告)日: | 2021-11-12 |
发明(设计)人: | C·于;王维洁;C·I·斯特凡;J·柏恩斯坦;D·西奥 | 申请(专利权)人: | 安普瑞斯股份有限公司 |
主分类号: | H01M4/136 | 分类号: | H01M4/136;H01M4/58;H01M4/70;H01M4/1397;H01M4/04;H01M10/052;H01M4/02 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 王海宁 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 锂离子电池 阳极 组成 调整 涂层 | ||
1.一种用于锂电池的阳极,其包括:
基底;
根植于所述基底的纳米线阵列,每个纳米线具有表面;
涂覆纳米线的大部分或全部表面的第一层,该层包含SiEx材料;以及
在第一层、纳米线的任何暴露表面和基底上方的第二层,该第二层包含硅或SiFy材料;
其中x大于零且小于1;
其中y大于零且小于1;并且
其中E和F各自独立地选自氮、碳、硼、磷、氧、镁、铝、锗、锡、镍、铜及其组合。
2.根据权利要求1所述的阳极,其中x在0.01和0.5之间。
3.根据权利要求1所述的阳极,其中x在0.01和0.3之间。
4.根据权利要求1所述的阳极,其中x在0.01和0.1之间。
5.根据权利要求1所述的阳极,其中E的浓度分布在第一层的厚度上变化和/或F的浓度分布在第二层的厚度上变化。
6.根据权利要求1所述的阳极,其中第二层的密度大于第一层的密度。
7.根据权利要求1所述的阳极,其中第一层的平均密度小于2.1g/cm3。
8.根据权利要求1所述的阳极,其中第二层的平均密度大于2.0g/cm3。
9.根据权利要求1所述的阳极,其中第一层的密度在整个第一层中变化。
10.根据权利要求1所述的阳极,其中第二层的密度在整个第二层中变化。
11.根据权利要求1所述的阳极,其中第一层与纳米线模版非保形。
12.根据权利要求1所述的阳极,其中第二层与第一层保形。
13.根据权利要求1所述的阳极,还包括处在第二层上方的第三层,所述第三层不包含硅。
14.根据权利要求1所述的阳极,其中所述纳米线模版包括硅化物纳米线。
15.根据权利要求1所述的阳极,其中所述第一层在其最大直径处的厚度为约5至20微米。
16.根据权利要求1所述的阳极,其中所述第二层的厚度为5至500纳米。
17.根据权利要求1所述的阳极,其中所述第二层的厚度为5至100纳米。
18.一种锂电池,其包括:
如权利要求1所述的阳极;
含锂的阴极;
与阳极和阴极都离子连通的电解质。
19.一种制造用于锂电池的阳极的方法,包括以下步骤:
提供基底;
从基底生长纳米线,每个纳米线具有表面;
使用PECVD方法沉积第一层以涂覆纳米线的大部分或全部表面,该第一层包含第一富硅SiEx;
使用热CVD方法在第一层、纳米线的任何暴露表面和基底上方沉积第二层,该第二层包含第二富硅SiEx。
20.根据权利要求19所述的方法,其中该PECVD方法是膨胀热等离子体方法。
21.根据权利要求19所述的方法,其中所述纳米线是硅化物纳米线。
22.根据权利要求19所述的方法,其中在所述热CVD方法期间的腔室压力小于约2托。
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