[发明专利]具有紧密节距和高效率的VCSEL阵列

权利要求书

1.一种光电设备，所述光电设备包括：

半导体基板；

第一组薄膜层，所述第一组薄膜层设置在所述基板上并且限定下部分布式布拉格反射器(DBR)叠堆；

第二组薄膜层，所述第二组薄膜层设置在所述下部DBR叠堆上方并且限定光学发射区域，所述光学发射区域容纳在由多个沟槽限定的台面中，所述多个沟槽围绕所述光学发射区域设置而不完全包围所述光学发射区域；

第三组薄膜层，所述第三组薄膜层设置在所述光学发射区域上方并且限定上部DBR叠堆；和

电极，所述电极围绕所述台面设置在所述沟槽之间的间隙中并且被配置为将激发电流施用到所述光学发射区域。

2.根据权利要求1所述的设备，并且所述设备包括透明导电层，所述透明导电层与所述电极电接触并且至少在所述第二组薄膜层上方延伸跨过所述台面。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述第三组薄膜层包括介电层。

4.根据权利要求3所述的设备，其中所述电极包括金属，所述金属沉积在延伸穿过所述第三组薄膜层的通孔中。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述第三组薄膜层包括外延半导体层。

6.根据权利要求5所述的设备，其中所述电极沉积在所述第三组薄膜层上方。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的设备，其中所述第一组薄膜层、所述第二组薄膜层和所述第三组薄膜层以及所述电极设置在所述半导体基板的上侧上，并且所述设备包括在所述半导体基板的与所述上侧相对的下侧上的阴极层。

8.一种光电设备，所述光电设备包括：

半导体基板；和

第一组薄膜层，所述第一组薄膜层设置在所述基板上并且限定下部分布式布拉格反射器(DBR)叠堆；

第二组薄膜层，所述第二组薄膜层设置在所述下部DBR叠堆上方并且限定多个光学发射区域，所述多个光学发射区域容纳在由多个沟槽限定的相应台面中，所述多个沟槽围绕所述光学发射区域中的每个光学发射区域设置而不完全包围所述光学发射区域；

第三组薄膜层，所述第三组薄膜层设置在所述光学发射区域中的每个光学发射区域上方并且限定上部DBR叠堆；和

电极，所述电极围绕所述台面中的每个台面设置在所述沟槽之间的间隙中并且被配置为将激发电流施用到所述光学发射区域中的每个光学发射区域。

9.根据权利要求8所述的设备，其中所述沟槽中的至少一个沟槽对于一对相邻台面是共同的。

10.根据权利要求8所述的设备，其中所述电极中的至少一个电极对于一对相邻台面是共同的。

11.根据权利要求8至10中任一项所述的设备，并且所述设备包括透明导电层，所述透明导电层与所述电极电接触并且至少在所述第二组薄膜层上方延伸跨过所述台面。

12.根据权利要求8至10中任一项所述的设备，其中所述第一组薄膜层、所述第二组薄膜层和所述第三组薄膜层以及所述电极设置在所述半导体基板的上侧上，并且所述设备包括在所述半导体基板的与所述上侧相对的下侧上的阴极层，其中所述阴极层对于所述多个光学发射区域是共同的。

13.一种用于制造光电设备的方法，所述方法包括：

将第一组薄膜层沉积在半导体基板上，以便限定下部分布式布拉格反射器(DBR)叠堆；

将第二组薄膜层沉积在所述下部DBR叠堆上方以便限定光学发射区域；

围绕所述光学发射区域形成多个沟槽而不完全包围所述光学发射区域，从而限定容纳所述光学发射区域的台面；

将第三组薄膜层沉积在所述光学发射区域上方以便限定上部DBR叠堆；

围绕所述台面将电极沉积在所述沟槽之间的间隙中；以及

将电接触件耦接到所述电极，以便将激发电流施用到所述光学发射区域。