[发明专利]所执行代码中的错误识别在审

专利信息
申请号: 202080024230.5 申请日: 2020-03-12
公开(公告)号: CN113632066A 公开(公告)日: 2021-11-09
发明(设计)人: A·蒙代洛;A·特罗亚 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10;G06F3/06;G11C29/52
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 执行 代码 中的 错误 识别
【说明书】:

本公开包含用于对所执行代码进行错误识别的设备、方法和系统。实施例包含存储器和电路系统,所述电路系统配置成:读取存储在所述存储器的安全阵列中的数据;识别具有对应于所述存储器的读取数据的错误校正码(ECC)的不同存储器;执行完整性检查以将所述ECC与所述存储器的所述读取数据进行比较;和响应于所述存储器的所述读取数据与所述ECC的所述比较而采取动作,其中所述比较指示所述ECC识别所述存储器的所述读取数据中的错误。

技术领域

本公开大体上涉及半导体存储器和方法,且更确切地说涉及识别所执行代码中的错误。

背景技术

存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路和/或外部可移除装置。存在许多不同类型的存储器,包含易失性及非易失性存储器。易失性存储器可能需要电力来维持其数据,且可包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)和同步动态随机存取存储器(SDRAM)等等。非易失性存储器可通过当不被供电时保存所存储的数据来提供永久性数据,并且可包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、只读存储器(ROM)以及电阻可变存储器,例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻性随机存取存储器(RRAM)和磁性随机存取存储器(MRAM)等等。

存储器装置可组合到一起形成固态驱动器(SSD)、嵌入式多媒体卡(例如MMC)和/或通用快闪存储(UFS)装置。SSD、e.MMC和/或UFS装置可包含非易失性存储器(例如,NAND快闪存储器和/或NOR快闪存储器),和/或可包含易失性存储器(例如,DRAM和/或SDRAM),以及各种其它类型的非易失性和易失性存储器。非易失性存储器可用于广泛范围的电子应用中,例如个人计算机、便携式存储器棒、数码相机、蜂窝式电话、便携式音乐播放器,例如MP3播放器、电影播放器等等。

快闪存储器装置可包含将数据存储在例如浮动栅极的电荷存储结构中的存储器单元。快闪存储器装置通常使用允许高存储器密度、高可靠性和低功耗的单晶体管存储器单元。电阻可变存储器装置可包含可基于存储元件(例如,具有可变电阻的电阻性存储器元件)的电阻状态存储数据的电阻性存储器单元。

存储器单元可布置成阵列,且阵列架构中的存储器单元可经编程为目标(例如,所要)状态。举例来说,电荷可置于快闪存储器单元的电荷存储结构(例如,浮动栅极)上或从其移除以将所述单元编程到特定数据状态。所述单元的电荷存储结构上的所存储电荷可指示所述单元的阈值电压(Vt)。可通过感测快闪存储器单元的电荷存储结构上的所存储电荷(例如,Vt)来确定所述单元的状态。

引入到代码中的错误和对所存储代码施加的威胁可能影响存储器装置的操作和/或存储在存储器装置的存储器单元中的数据。错误可通过噪声和/或在传输期间引入。威胁可包含例如来自黑客或其它恶意用户的威胁,包含有意的错误引入、中间人(MITM)攻击等等。此类威胁可能造成重大财务损失,和/或可能引起重大安全和/或安保问题。

附图说明

图1说明根据本公开的实施例的具有数个物理块的存储器阵列的一部分的图式。

图2A说明根据本公开的实施例的用于限定安全存储器阵列的一对寄存器的实例。

图2B说明根据本公开的实施例的包含所限定的安全存储器阵列的存储器阵列的一部分的图式。

图3是根据本公开的实施例的包含主机和呈存储器装置形式的设备的计算系统的框图。

图4说明根据本公开的实施例的包含主机控制器和设备的实例系统的实例框图。

图5说明根据本公开的实施例的用于所执行代码中的错误识别的实例流程图。

图6是根据本公开的实施例的包含主机和存储器装置的实例系统的框图。

图7是根据本公开的实施例的用于确定数个参数的实例过程的框图。

图8是根据本公开的实施例的用于确定数个参数的实例过程的框图。

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