[发明专利]高蚀刻选择性的低应力可灰化碳硬掩模

权利要求书

1.一种用于在衬底上沉积碳可灰化硬掩模层的方法，其包括：

a)将衬底布置在处理室中；

b)将室压强设定在预定压强范围内；

c)将衬底温度设定在-20℃至200℃的预定温度范围内；

d)供应包含有烃前体和一或更多种其他气体的气体混合物；以及

e)通过供应RF等离子体功率持续第一预定时段来激励等离子体，以在该衬底上沉积碳可灰化硬掩模层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述处理室为感应耦合式等离子体室。

3.根据权利要求2所述的方法，其中e)中的所述RF等离子体功率是以30W至3000W范围内的第一功率电平传送，并且还包括在所述第一预定时段期间以大于0W至1000W范围内的第二功率电平供应RF偏置功率。

4.根据权利要求1所述的方法，其还包括：

f)在所述第一预定时段后，停止所述烃前体的流动；以及

g)在所述衬底上执行衬底处理，以降低应力。

5.根据权利要求4所述的方法，其还包括执行一或更多额外次的所述碳可灰化硬掩模的所述沉积和所述衬底处理。

6.根据权利要求4所述的方法，其中所述碳可灰化硬掩模的所述沉积包括沉积/处理时段的30％至95％，而所述衬底处理包括所述沉积/处理时段的70％至5％。

7.根据权利要求4所述的方法，其中所述碳可灰化硬掩模的所述沉积和所述衬底处理是以0.05Hz至1000Hz范围内的频率重复进行。

8.根据权利要求4所述的方法，其中g)包括：

g1)供应惰性气体混合物；

g2)以小于所述第一功率电平的第三功率电平来供应所述RF等离子体功率；以及

g3)以小于所述第二功率电平的第四功率电平来供应所述RF偏置功率。

9.根据权利要求8所述的方法，其中g)还包括：

g4)在所述第四功率电平下的第二预定时段之后，以大于所述第四功率电平的第五功率电平来供应所述射频偏置功率持续第三预定时段；以及

g5)在所述第三预定时段之后，以小于所述第四功率电平的第六功率电平来供应所述RF偏置功率持续第四预定时段。

10.根据权利要求9所述的方法，其还包括重复进行一或更多次的c)至g5)。

11.根据权利要求10所述的方法，其中：

所述第三功率电平是在0W至500W的范围内；

所述第四功率电平是在30W至1000W的范围内；

所述第五功率电平是在100W至1500W的范围内；以及

所述第六功率电平是在30W至1000W的范围内。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述预定温度范围为0℃至80℃。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述预定压强范围为5mT至450mT。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述预定压强范围为5mT至35mT。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述处理室为电容耦合式等离子体室。