[发明专利]荧光体粉末、复合体和发光装置

说明书

本发明的一个方案是一种由含有Eu的α型塞隆荧光体粒子构成的荧光体粉末。该荧光体粉末的利用激光衍射散射法测定的体积基准的中值粒径(D₅₀)为10μm～20μm，对波长600nm的光的扩散反射率为93％～99％。

技术领域

本发明涉及荧光体粉末、复合体和发光装置。

背景技术

作为氮化物、氮氧化物荧光体，已知激活特定的稀土元素而得的α型塞隆荧光体具有有用的荧光特性，应用于白色LED等。在α型塞隆荧光体中，α型氮化硅晶体的Si－N键部分被Al－N键和Al－O键取代，为了保持电中性，在晶格间具有特定的元素(Ca、Li、Mg和Y，或不包括La和Ce的镧系金属)侵入固溶于晶格内的结构。通过将侵入固溶的元素的一部分设为成为发光中心的稀土元素，表现出荧光特性。其中，使Ca固溶并用Eu取代其一部分而得的α型塞隆荧光体在紫外区域～青色区域的宽广波长区域被相对有效地激发，显示黄色～橙色发光。作为进一步提高这样的α型塞隆荧光体的荧光特性的尝试，例如提出了通过分级处理来选出具有特定平均粒径的α型塞隆荧光体(专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009－96882号公报

发明内容

近年来，需要白色LED的进一步的高亮度化。例如对白色LED中使用的荧光体粉末的发光特性也要求更进一步的提高。

本发明鉴于如上所述的问题。本发明的目的是提供发光特性得到提高的荧光体粉末。

根据本发明，提供一种荧光体粉末，由含有Eu的α型塞隆荧光体粒子构成，利用激光衍射散射法测定的体积基准的中值粒径(D₅₀)为10μm～20μm，对波长600nm的光的扩散反射率为93％～99％。

另外，根据本发明，提供一种复合体，具备上述荧光体粉末和密封该荧光体粉末的密封材料。

另外，根据本发明，提供一种发光装置，具备发出激发光的发光元件和转换上述激发光的波长的上述复合体。

发明效果

根据本发明，可以提供与发光特性得到提高的荧光体粉末相关的技术。

附图说明

图1是表示以往的荧光体粉末的中值粒径(D₅₀)与对波长600nm的光的扩散反射率的关系以及对本实施方式的荧光体粉末规定的中值粒径(D₅₀)和对波长600nm的光的扩散反射率的范围的概念图。

图2是表示实施方式的发光装置的结构的概略截面图。

具体实施方式

以下，对本发明的实施方式详细进行说明。

实施方式的荧光体粉末是由含有Eu的α型塞隆荧光体粒子构成的荧光体粉末。该荧光体粉末的利用激光衍射散射法测定的体积基准的中值粒径(D₅₀)为10μm～20μm，对波长600nm的光的扩散反射率为93％～99％。

根据本实施方式的荧光体粉末，可以保持以往的α型塞隆荧光体粒子所具有的激发波长区域和荧光波长区域并提高其荧光特性。因此，结果可以使使用本实施方式的荧光体粉末而得的发光装置的发光特性提高。

作为该理由，详细的机理尚不明确，但是认为通过兼顾将中值粒径设为10μm～20μm的范围以及将对波长600nm的光的扩散反射率设为93％～99％，从而荧光体粉末的荧光特性提高。

(α型塞隆荧光体粒子)

含有Eu的α型塞隆荧光体粒子由以下说明的α型塞隆荧光体构成。