[发明专利]开发支援装置、开发支援方法以及计算机程序

权利要求书

1.一种开发支援装置，其特征在于，具备：

接收部，在终端装置的用户认证后，从所述终端装置接收与蓄电器件的劣化机理有关的选择信息；

模拟执行部，基于接收到的选择信息，利用所选择的劣化机理来模拟所述蓄电器件的劣化；和

发送部，将由该模拟执行部模拟的模拟结果或者在模拟所述蓄电器件的劣化时执行的模拟程序发送给所述终端装置。

2.根据权利要求1所述的开发支援装置，其特征在于，

所述模拟执行部利用表示所述蓄电器件的物理模型来执行模拟。

3.根据权利要求1或2所述的开发支援装置，其特征在于，

所述劣化机理包含构成所述蓄电器件的各要素中的电阻的增加、活性物质粒子的孤立化、电解液中的导电性的下降、以及参与充放电的电荷载体的减少之中的至少一者。

4.根据权利要求3所述的开发支援装置，其特征在于，

所述电阻的增加包含集电箔和多孔体电极的粘接部处的电阻的增加、活性物质粒子中的导电路径的减少所伴随的电阻的增加、或者粒子表面的电阻体被膜的增加所伴随的电阻的增加。

5.根据权利要求3所述的开发支援装置，其特征在于，

所述电阻的增加、所述活性物质粒子的孤立化、以及所述导电性的下降由放电时的SOC的上限以及下限的函数表示。

6.根据权利要求3所述的开发支援装置，其特征在于，

所述电阻的增加、所述活性物质粒子的孤立化、所述导电性的下降、以及所述电荷载体的减少，由经过时间、周期数、以及温度之中的至少一者的函数表示。

7.根据权利要求3所述的开发支援装置，其特征在于，

所述电荷载体的减少由充电时的负极表面中的电荷移动过程的计量系数表示。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的开发支援装置，其特征在于，

所述模拟结果包含构成所述蓄电器件的各要素中的电阻的值、活性物质粒子的孤立化区域的体积比例、电解液的扩散系数或者离子导电率、电荷载体量、以及蓄电器件的膨胀率之中任一者的时间变化或者周期变化。

9.一种开发支援装置，其特征在于，具备：

受理部，受理与蓄电器件的劣化机理有关的选择信息；

模拟执行部，基于受理到的选择信息，利用所选择的劣化机理来模拟所述蓄电器件的劣化；和

输出部，输出由该模拟执行部模拟的模拟结果或者在模拟所述蓄电器件的劣化时执行的模拟程序。

10.一种开发支援方法，其特征在于，

利用连接为能够与终端装置通信的开发支援装置，

提示与蓄电器件的劣化机理有关的多个选择项，并从所述终端装置接收与所选择的劣化机理有关的选择信息，

基于接收到的选择信息，利用所选择的劣化机理来模拟所述蓄电器件的劣化，

将模拟结果或者在模拟所述蓄电器件的劣化时执行的模拟程序发送给所述终端装置。

11.一种开发支援方法，其特征在于，

利用计算机，

提示与蓄电器件的劣化机理有关的多个选择项，

基于所提示的选择项，受理与所述蓄电器件的劣化机理有关的选择，

利用所选择的劣化机理来模拟所述蓄电器件的劣化，

输出模拟结果或者在模拟所述蓄电器件的劣化时执行的模拟程序。

12.一种计算机程序，其特征在于，用于使计算机执行如下处理：

提示与蓄电器件的劣化机理有关的多个选择项，并从终端装置接收与所选择的劣化机理有关的选择信息，

基于接收到的选择信息，利用所选择的劣化机理来模拟所述蓄电器件的劣化，

将模拟结果或者在模拟所述蓄电器件的劣化时执行的模拟程序发送给所述终端装置。