[发明专利]厚膜抗蚀剂组合物和使用该厚膜抗蚀剂组合物的抗蚀剂膜的制造方法

权利要求书

1.一种厚膜抗蚀剂组合物，包含(A)聚合物、(B)脱保护剂、(C)光反应淬灭剂和(D)溶剂，

其中(C)光反应淬灭剂由式(C-1)表示：

C^m+阳离子C^m-阴离子 式(C-1)

式中，

C^m+阳离子是选自式(CC1)表示的阳离子和式(CC2)表示的阳离子的至少一种阳离子，且整体呈m价，这里m为1～3，

式中，

R^c1各自独立地为C_1-6烷基、C_1-6烷氧基或C_6-12芳基，且

nc1各自独立地为0、1、2或3，

式中，

R^c2各自独立地为C_1-6烷基、C_1-6烷氧基或C_6-12芳基，且

nc2各自独立地为0、1、2或3；

C^m-阴离子是选自由式(CA)表示的阴离子的至少一种阴离子，且整体呈m价，

式中，

X是C_1-20烃，

R^c3各自独立地为羟基、C_1-6烷基或C_6-10芳基，

nc3是1、2或3，且

nc4是0、1或2。

2.根据权利要求1所述的组合物，其中，(A)聚合物含有选自由下式(P-1)、(P-2)和(P-3)表示的结构单元中的至少一个结构单元，式(P-1)表示的结构单元：

式中，

R^p1为氢、C_1-5烷基、C_1-5烷氧基或-COOH，

R^p2为C_1-5烷基，其中-CH₂-可以被-O-替代，

m1为0～4的数，且

m2为1～2的数，m1+m2≤5；

式(P-2)表示的结构单元：

式中，

R^p3是氢、C_1-5烷基、C_1-5烷氧基或-COOH，

R^p4是C_1-5烷基或C_1-5烷氧基，其中，烷基和烷氧基中含有的-CH₂-可以被-O-替代，且

m3是0～5的数；

式(P-3)表示的结构单元：

式中，

R^p5是氢、C_1-5烷基、C_1-5烷氧基或-COOH，且

R^p6为C_1-15烷基或C_1-5烷基醚，R^p6可以具有环结构，

优选地，式(P1)、(P2)和(P3)各自的重复数n_p1、n_p2和n_p3满足下式：

40％≤n_p1/(n_p1+n_p2+n_p3)≤80％，

3％≤n_p2/(n_p1+n_p2+n_p3)≤40％，和/或

10％≤n_p3/(n_p1+n_p2+n_p3)≤40％。