[发明专利]使用多线图案化的衬底加工方法

权利要求书

1.一种图案化衬底的方法，该方法包括：

提供衬底，该衬底包括由第一材料制成并且定位于下层上的芯棒，这些芯棒中的每一个包括第一侧壁和与该第一侧壁相反的第二侧壁；

形成侧壁间隔物，这些侧壁间隔物由第二材料制成并且包括邻接每个相应的第一侧壁的第一侧壁间隔物和邻接每个相应的第二侧壁的第二侧壁间隔物，这些芯棒在这些侧壁间隔物的顶表面上方竖直地延伸；

通过在这些第一侧壁间隔物的顶表面上沉积第三材料而不在这些第二侧壁间隔物上沉积该第三材料，形成第一加盖侧壁间隔物；

通过在这些第二侧壁间隔物的顶表面上沉积第四材料而不在这些第一侧壁间隔物上沉积该第四材料，形成第二加盖侧壁间隔物，其中，这些芯棒、第一加盖侧壁间隔物和第二加盖侧壁间隔物共同限定多线层；

在该多线层上形成图案化掩模层，以掩蔽该多线层的一部分；以及

选择性地去除该第一材料、该第二材料、该第三材料和该第四材料中的至少一者，以显露出该下层的暴露部分。

2.如权利要求1所述的方法，其中，该第三材料经由成角度的物理气相沉积(PVD)成角度溅射来沉积。

3.如权利要求1所述的方法，其中，选定的沉积角、选定的沉积方向以及选定的从这些侧壁间隔物的顶表面测量的平均芯棒高度防止当在这些第一侧壁间隔物上进行沉积时沉积在这些第二侧壁间隔物的顶表面上，并且防止当在这些第一侧壁间隔物的顶表面上进行沉积时沉积在这些第一侧壁间隔物的顶表面上。

4.如权利要求3所述的方法，其中，该选定的沉积角的正切大于一定比率，该比率等于芯棒间距减去平均间隔物宽度与平均芯棒宽度之和、然后除以选定的平均芯棒高度。

5.如权利要求1所述的方法，进一步包括将由该暴露部分限定的图案转印到该下层。

6.如权利要求5所述的方法，其中，由该暴露部分限定的转印到该下层的图案包括小于约20nm的临界尺寸。

7.如权利要求1所述的方法，其中，选择性地去除包括：选择性地去除选自由以下各项组成的组中的至少三种材料：来自该多线层的该第一材料、该第二材料、该第三材料和该第四材料；以及将由剩余线限定的图案转印到该下层。

8.如权利要求7所述的方法，其中，由该剩余线限定的转印到该下层的图案包括小于约20nm的临界尺寸。

9.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在这些芯棒、这些第一加盖侧壁间隔物和这些第二加盖侧壁间隔物上方沉积第五材料；

其中，该多线层包括特征组之间的开口，每个特征组包括一个芯棒、一个第一加盖侧壁间隔物和一个第二加盖侧壁间隔物；并且

其中，该第五材料填充该多线层中的开口并在该多线层中限定附加线。

10.一种图案化衬底的方法，该方法包括：

提供衬底，该衬底包括由第一材料制成并且定位于下层上的芯棒，这些芯棒中的每一个包括第一侧壁和与该第一侧壁相反的第二侧壁；

形成侧壁间隔物，这些侧壁间隔物由第二材料制成并且包括邻接每个相应的第一侧壁的第一侧壁间隔物和邻接每个相应的第二侧壁的第二侧壁间隔物，这些芯棒在这些侧壁间隔物的顶表面上方竖直地延伸；

通过在这些第一侧壁间隔物的顶表面上沉积第三材料而不在这些第二侧壁间隔物上沉积该第三材料，形成第一加盖侧壁间隔物；

通过在这些第二侧壁间隔物的顶表面上沉积第四材料而不在这些第一侧壁间隔物上沉积该第四材料，形成第二加盖侧壁间隔物；

在该衬底上方沉积第五材料，该第五材料覆盖该下层的在相邻芯棒的第一覆盖侧壁间隔物与第二覆盖侧壁间隔物之间的暴露部分以形成该第五材料的线，其中，这些芯棒、第一覆盖侧壁间隔物、第二覆盖侧壁间隔物以及该第五材料的线共同限定多线层；

在该多线层上形成图案化掩模层，以掩蔽该多线层的一部分；以及

选择性地去除该第一材料、该第二材料、该第三材料、该第四材料和该第五材料中的至少一者，以显露出该下层的暴露部分。