[发明专利]非水电解质二次电池在审
| 申请号： | 202080025846.4 | 申请日： | 2020-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN113646921A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 坂本纯一;谷祐児;北條伸彦 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/13 | 分类号： | H01M4/13;H01M4/36;H01M4/38;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 水电 二次 电池 | ||
1.一种非水电解质二次电池，其具备正极、负极和电解质，
所述负极具备：包含负极活性物质的负极合剂层和负载所述负极合剂层的负极集电体，
所述负极活性物质包含碳材料和含硅材料，
所述含硅材料包含锂离子导电相和分散于所述锂离子导电相的硅颗粒，
所述锂离子导电相为硅酸盐相和/或碳相，
所述硅酸盐相包含选自由碱金属元素和第二族元素组成的组中的至少1种，
所述负极合剂层具有厚度T0且具有所述负极的表面侧的第一区域、以及作为除所述第一区域之外的区域的所述负极集电体侧的第二区域，所述第一区域具有厚度T1，
所述第一区域的厚度T1相对于所述负极合剂层的厚度T0的比T1/T0为1/20以上且19/20以下，
所述第一区域中的所述含硅材料的质量比例MS1相对于所述第二区域中的所述含硅材料的质量比例MS2的比MS1/MS2为0以上且小于1，
充满电时的所述负极的开路电位相对于锂金属超过0mV且为70mV以下。
2.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池，其中，所述MS1/MS2为0以上且1/3以下。
3.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池，其中，所述第一区域包含所述碳材料，且不含所述含硅材料。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的非水电解质二次电池，其中，所述T1/T0为1/20以上且6/20以下。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的非水电解质二次电池，其中，
所述负极合剂层还包含负极助剂，
所述第一区域中的所述负极助剂的质量比例MA1相对于所述第二区域中的所述负极助剂的质量比例MA2的比MA1/MA2小于1。
6.根据权利要求5所述的非水电解质二次电池，其中，所述MA1/MA2为1/3以上且小于1。
7.根据权利要求5所述的非水电解质二次电池，其中，
所述第一区域中的所述负极助剂的质量比例MA1为1.0质量％以上且1.4质量％以下，
所述第二区域中的所述负极助剂的质量比例MA2为2.6质量％以上且3.0质量％以下。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的非水电解质二次电池，其中，所述第二区域中，所述含硅材料相对于所述碳材料的质量比为1/99以上且10/90以下。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的非水电解质二次电池，其中，充满电时的所述负极的开路电位相对于锂金属为40mV以上且60mV以下。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的非水电解质二次电池，其中，所述负极的容量Cn相对于所述正极的容量Cp的比Cn/Cp大于0且小于1。
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