[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

具有将硅衬底用于沟道的多个晶体管的驱动电路；以及

具有将金属氧化物用于沟道的多个晶体管的第一晶体管层及第二晶体管层，

其中，所述第一晶体管层及所述第二晶体管层设置于所述硅衬底上，

所述第一晶体管层包括具有第一晶体管及第一电容器的第一存储单元，

所述第一晶体管与第一局部位线电连接，

所述第二晶体管层包括其栅极与所述第一局部位线电连接的第二晶体管及与所述第二晶体管电连接的第一校正电路，

所述第一校正电路与第一全局位线电连接，

并且，所述第一校正电路具有使所述第二晶体管的栅极保持对应于所述第二晶体管的阈值电压的电压的功能。

2.一种半导体装置，包括：

具有将硅衬底用于沟道的多个晶体管的驱动电路；以及

层叠地设置有多个晶体管层的元件层，

其中，所述元件层包括具有将金属氧化物用于沟道的多个晶体管的第一晶体管层及第二晶体管层，

所述第一晶体管层及所述第二晶体管层设置于所述硅衬底上，

所述第一晶体管层包括具有第一晶体管及第一电容器的第一存储单元，

所述第一晶体管与第一局部位线电连接，

所述第二晶体管层包括其栅极与所述第一局部位线电连接的第二晶体管及与所述第二晶体管电连接的第一校正电路，

所述第一校正电路与第一全局位线电连接，

并且，所述第一校正电路具有使所述第二晶体管的栅极保持对应于所述第二晶体管的阈值电压的电压的功能。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述第一局部位线在垂直或大致垂直于所述硅衬底的表面的方向上设置。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体装置，其中所述第一全局位线具有使所述第一校正电路和所述驱动电路电连接的功能。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述第一全局位线在垂直或大致垂直于所述硅衬底的表面的方向上设置。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的半导体装置，其中所述金属氧化物包含In、Ga及Zn。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的半导体装置，

其中所述第一校正电路包括第三晶体管至第五晶体管，

所述第三晶体管具有控制所述第二晶体管的栅极和所述第二晶体管的源极和漏极中的一个之间的导通状态的功能，

所述第四晶体管具有控制所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个和被供应用来使电流流过所述第二晶体管的电位的布线之间的导通状态的功能，

并且所述第五晶体管具有控制所述第二晶体管的源极和漏极中的一个和所述第一全局位线之间的导通状态的功能。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述第一晶体管在进行校正工作的期间被处于非导通状态。

9.根据权利要求1至8中的任一项所述的半导体装置，还包括：第二存储单元、第二局部位线、第二校正电路、第二全局位线、第五晶体管、第六晶体管及第七晶体管，

其中所述驱动电路包括电连接到被用作位线对的第一位线及第二位线的读出放大器，

所述第二存储单元与所述第二局部位线电连接，

所述第二局部位线与所述第二校正电路电连接，

所述第二校正电路与所述第二全局位线电连接，

所述第五晶体管具有控制所述第一位线和所述第一全局位线之间的导通状态的功能，

所述第六晶体管具有控制所述第二位线和所述第二全局位线之间的导通状态的功能，

并且所述第七晶体管具有控制所述第一全局位线和所述第二全局位线之间的导通状态的功能。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述第五晶体管至所述第七晶体管是将金属氧化物用于沟道的晶体管。