[发明专利]发光二极管芯片级封装及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片级封装，其特征在于，包括：

一面形成有与外部对象电连接的焊盘(110)的发光二极管芯片(100)；

包覆所述发光二极管芯片(100)但向外部露出所述焊盘(110)的结合面(111)的荧光硅胶膜(200)；以及

连接于所述结合面(111)且扩张所述焊盘(110)的表面积的金属层(300)。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片级封装，其特征在于：

所述焊盘(110)包括相隔配置的一对焊盘单体(110A)，所述金属层(300)包括与各所述焊盘单体(110A)连接的一对金属层单(体(300A)，金属层单体(300A)之间的相隔距离(L2)为焊盘单体(110A)之间的相隔距离(L1)以上。

3.一种发光二极管芯片级封装制造方法，是用于制造权利要求1或2所述的发光二极管芯片级封装的发光二极管芯片级封装制造方法，其特征在于，包括：

用所述荧光硅胶膜(200)包覆所述发光二极管芯片(100)但向外部露出所述焊盘(110)的结合面(111)的封装形成步骤(S100)；以及

在所述结合面(111)结合金属层(300)以扩张所述焊盘(110)的焊盘扩张步骤(S200)。

4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片级封装制造方法，其特征在于，所述封装形成步骤(S100)包括：

在基板(400)结合垂直框架(500)形成孔(600)的框架结合步骤(S110)；

在所述孔(600)上排列发光二极管芯片(100)的二极管排列步骤(S120)；

在所述孔(600)上注入混合液(200A)的液注入步骤(S130)；

通过加工注入到孔(300)的所述混合液(200A)将所述混合液(200A)转换成荧光硅胶膜(200)的膜形成步骤(S140)；以及

去除所述基板(400)形成所述焊盘(110)向外部露出的封装板(700)的基板去除步骤(S150)。

5.根据权利要求4所述的发光二极管芯片级封装制造方法，其特征在于：

所述混合液(200A)为荧光体与硅胶的混合物。

6.根据权利要求4所述的发光二极管芯片级封装制造方法，其特征在于，所述焊盘扩张步骤(S200)包括：

向位于形成于在所述基板去除步骤(S150)去除所述基板(400)而露出的所述垂直框架(500)的一面与焊盘之间的槽(111)的荧光硅胶膜(200)的一面结合阴罩(800)的阴罩结合步骤(S210)。

7.根据权利要求6所述的发光二极管芯片级封装制造方法，其特征在于，所述焊盘扩张步骤(S200)包括：

在所述焊盘(110)露出的所述封装板(700)的一面沉积金属的金属沉积步骤(S220)。

8.根据权利要求7所述的发光二极管芯片级封装制造方法，其特征在于：

在所述金属沉积步骤(S220)中，通过真空沉积法(E-beam)及溅射(souttering)方式中任意一种方式沉积所述金属。

9.根据权利要求7所述的发光二极管芯片级封装制造方法，其特征在于，所述焊盘扩张步骤(S200)还包括：

去除结合于封装板(700)的阴罩(800)的阴罩去除步骤(S230)；以及

去除所述垂直框架(500)的框架去除步骤(S240)。