[发明专利]钴基合金材料和钴基合金制造物有效

专利信息
申请号: 202080026864.4 申请日: 2020-09-04
公开(公告)号: CN114466944B 公开(公告)日: 2023-06-27
发明(设计)人: 王玉艇;今野晋也;太田敦夫 申请(专利权)人: 三菱重工业株式会社
主分类号: C22C19/07 分类号: C22C19/07;C22C30/00;B22F5/00;B22F10/28;B22F10/64;B33Y10/00;B33Y40/20;B33Y70/00;B33Y80/00;F01D9/02;F01D25/00
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 陈彦;胡玉美
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 合金材料 合金 制造
【权利要求书】:

1.一种钴基合金制造物,其是由钴基合金材料形成的制造物,其特征在于,所述钴基合金材料具有如下的化学组成:

含有0.08质量%以上0.25质量%以下的碳和0.003质量%以上0.2质量%以下的氮且所述碳和所述氮的合计为0.083质量%以上0.28质量%以下,

含有0.1质量%以下的硼和10质量%以上30质量%以下的铬,

含有5质量%以下的铁和30质量%以下的镍且所述铁和所述镍的合计为30质量%以下,

含有钨和/或钼且所述钨和所述钼的合计为5质量%以上12质量%以下,

含有铝和/或硅且所述铝和所述硅中的至少一种超过0.5质量%且为3质量%以下,并且所述铝和所述硅的合计超过0.5质量%且为4质量%以下,

含有0.5质量%以下的锰,

含有0.5质量%以上4质量%以下的M成分,所述M成分为除钨和钼以外的过渡金属且原子半径超过130pm,

余量由钴和杂质构成,

所述杂质含有0.04质量%以下的氧;

所述制造物是平均晶粒粒径为5μm以上150μm以下的母相晶粒的多晶体,

所述母相晶粒中,形成有平均尺寸为0.13μm以上2μm以下且由所述M成分在边界区域偏析而成的偏析晶胞,或者,

所述母相晶粒中,形成有平均尺寸为0.13μm以上2μm以下的后偏析晶胞,含有所述M成分的MC型碳化物相、M(C,N)型碳氮化物相和/或MN型氮化物相的粒子沿着该后偏析晶胞的边界分散析出。

2.如权利要求1所述的钴基合金制造物,其特征在于,

所述化学组成中,所述氮超过0.04质量%且为0.2质量%以下,所述碳和所述氮的合计超过0.12质量%且为0.28质量%以下。

3.如权利要求1所述的钴基合金制造物,其特征在于,

所述化学组成的所述M成分是钛、锆、铪、钒、铌和钽中的1种以上。

4.如权利要求3所述的钴基合金制造物,其特征在于,

所述化学组成的所述M成分中,

含有所述钛时,该钛为0.01质量%以上1质量%以下,

含有所述锆时,该锆为0.05质量%以上1.5质量%以下,

含有所述铪时,该铪为0.01质量%以上0.5质量%以下,

含有所述钒时,该钒为0.01质量%以上0.5质量%以下,

含有所述铌时,该铌为0.02质量%以上1质量%以下,

含有所述钽时,该钽为0.05质量%以上1.5质量%以下。

5.如权利要求3或权利要求4所述的钴基合金制造物,其特征在于,

所述化学组成的所述M成分中,所述锆是必需的。

6.如权利要求3或权利要求4所述的钴基合金制造物,其特征在于,

所述化学组成的所述M成分是所述钛、所述锆、所述铪、所述钒、所述铌和所述钽中的3种以上。

7.如权利要求1至权利要求4中任一项所述的钴基合金制造物,其特征在于,

所述制造物在大气中、温度950℃的条件下进行氧化试验时,保持1000小时时的质量变化率比保持500小时时的质量变化率大。

8.如权利要求1至权利要求4中任一项所述的钴基合金制造物,其特征在于,

所述制造物是高温构件。

9.如权利要求8所述的钴基合金制造物,其特征在于,

所述高温构件是涡轮机静叶片、涡轮机动叶片、涡轮机燃烧器喷嘴或热交换器。

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