[发明专利]铜-陶瓷接合体、绝缘电路基板、铜-陶瓷接合体的制造方法及绝缘电路基板的制造方法有效
| 申请号： | 202080026887.5 | 申请日： | 2020-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN113661152B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 寺崎伸幸 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C04B37/02 | 分类号： | C04B37/02;H01L23/12;H01L23/14 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 辛雪花;周艳玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷 接合 绝缘 路基 制造 方法 | ||
1.一种铜-陶瓷接合体，其特征在于，
具有由铜或铜合金构成的铜部件和由氮化铝构成的陶瓷部件，
所述铜部件与所述陶瓷部件接合，
在所述铜部件与所述陶瓷部件的接合界面的整个面形成有Mg-O层，所述Mg-O层通过用作接合材料的Mg与形成于所述陶瓷部件的表面的氧化物反应而形成。
2.一种绝缘电路基板，其特征在于，
具有由铜或铜合金构成的铜板和由氮化铝构成的陶瓷基板，
在所述陶瓷基板的表面接合有所述铜板，
在所述铜板与所述陶瓷基板的接合界面的整个面形成有Mg-O层，所述Mg-O层通过用作接合材料的Mg与形成于所述陶瓷基板的表面的氧化物反应而形成。
3.一种铜-陶瓷接合体的制造方法，其特征在于，所述铜-陶瓷接合体的制造方法为权利要求1所述的铜-陶瓷接合体的制造方法，具备：
在所述铜部件与所述陶瓷部件之间配置Mg的Mg配置工序；
将所述铜部件与所述陶瓷部件经由Mg进行层叠的层叠工序；及
在将经由Mg层叠的所述铜部件与所述陶瓷部件沿层叠方向加压的状态下，在真空气氛下进行加热处理而接合的接合工序，
所述Mg配置工序中，将Mg量设在0.34mg/cm2以上且4.35mg/cm2以下的范围内，
所述接合工序中，将在480℃以上且低于650℃的温度范围内的升温速度设为5℃/min以上，并且以650℃以上的温度保持30min以上。
4.一种绝缘电路基板的制造方法，其特征在于，所述绝缘电路基板的制造方法为权利要求2所述的绝缘电路基板的制造方法，具备：
在所述铜板与所述陶瓷基板之间配置Mg的Mg配置工序；
将所述铜板与所述陶瓷基板经由Mg进行层叠的层叠工序；及
在将经由Mg层叠的所述铜板与所述陶瓷基板沿层叠方向加压的状态下，在真空气氛下进行加热处理而接合的接合工序，
所述Mg配置工序中，将Mg量设在0.34mg/cm2以上且4.35mg/cm2以下的范围内，
所述接合工序中，将在480℃以上且低于650℃的温度范围内的升温速度设为5℃/min以上，并且以650℃以上的温度保持30min以上。
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