[发明专利]包含羟基芳基末端的聚合物的药液耐性保护膜形成用组合物

权利要求书

1.一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其中，二环氧化合物(B)与2官能以上的产质子化合物(C)的反应生成物(P)包含下述式(1)所示的结构，所述保护膜形成用组合物还包含有机溶剂(S)，

＊-Y-Ar-(OH)_n 式(1)

在式(1)中，Ar表示碳原子数6～40的芳基，n表示2～10的整数，-Y-表示-OCO-、-O-或-S-，*表示与所述反应生成物(P)分子末端的结合部分。

2.根据权利要求1所述的保护膜形成用组合物，所述2官能以上的产质子化合物(C)具有选自羟基、羧基、硫醇基、氨基和酰亚胺基中的官能团。

3.根据权利要求1所述的保护膜形成用组合物，所述2官能以上的产质子化合物(C)为酸二酐。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的保护膜形成用组合物，所述反应生成物(P)包含下述式(2)所示的结构单元，

在式(2)中，Q₁和Q₂表示2价有机基，A₁～A₆表示氢原子、甲基或乙基。

5.根据权利要求4所述的保护膜形成用组合物，所述式(2)的Q₁由下述式(3)表示，

-Z₁-R₂-Z₁- 式(3)

在式(3)中，R₂表示直接键合、可以被-O-、-S-或-S-S-中断的碳原子数1～10的亚烷基、碳原子数2～6的亚烯基、或具有至少1个碳原子数3～10的脂环式烃环或碳原子数6～14的芳香族烃环的二价有机基，所述二价有机基可以被选自碳原子数1～6的烷基、碳原子数2～6的烯基、碳原子数2～6的炔基、卤原子、羟基、硝基、氰基、亚甲基、碳原子数1～6的烷氧基、碳原子数2～6的烷氧基羰基和碳原子数1～6的烷硫基中的至少1个基团取代；Z₁和Z₁各自表示-COO-、-OCO-、-O-、-S-中的任一者。

6.根据权利要求4或5所述的保护膜形成用组合物，所述式(2)的Q₂由下述式(4)表示，

在所述式(4)中，R₁表示直接键合或碳原子数1～5的亚烷基，n1和m表示0或1的整数，Z₂由下述式(5)、式(6)或式(7)表示，

在所述式(6)中，X由下述式(8)、式(9)或式(10)表示，

在式(8)、式(9)和式(10)中，R₁₁、R₁₂、R₁₃、R₁₄和R₁₅各自独立地表示氢原子、碳原子数1～6的烷基、碳原子数3～6的烯基、苄基或苯基，所述苯基可以被选自碳原子数1～6的烷基、卤原子、硝基、氰基、碳原子数1～6的烷氧基和碳原子数1～6的烷硫基中的至少1个取代，R₁₃与R₁₄可以彼此结合而形成碳原子数3～6的环。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的保护膜形成用组合物，所述Ar包含苯、萘和蒽结构。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的保护膜形成用组合物，所述n为2～4的整数。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的保护膜形成用组合物，其还包含交联剂(K)。