[发明专利]压电体膜的制造方法、压电体膜及压电元件

权利要求书

1.一种压电体膜的制造方法，该方法包括：

涂布工序，在基板上涂布涂布液而得到涂布膜，所述涂布液至少包含铅、锆、钛，且所述锆与所述钛的含量比以摩尔比计在54:46～40:60的范围内，通过在结晶化开始温度以上的温度进行加热而生成钙钛矿结晶相；

干燥工序，干燥所述涂布膜而得到干燥膜；

第一预烧成工序，在第一预烧成温度对所述干燥膜进行加热而得到第一预烧成膜，所述第一预烧成温度在所述结晶化开始温度以上且所述结晶化开始温度+40℃以下的范围内；

第二预烧成工序，在第二预烧成温度对所述第一预烧成膜进行加热而得到第二预烧成膜，所述第二预烧成温度在所述结晶化开始温度+25℃以上且所述结晶化开始温度+100℃以下的范围内，且为所述第一预烧成温度+25℃以上的温度；及

正式烧成工序，在正式烧成温度对所述第二预烧成膜进行加热而得到压电体膜，所述正式烧成温度在所述结晶化开始温度+100℃以上且所述结晶化开始温度+200℃以下的范围内，且为所述第二预烧成温度+25℃以上的温度。

2.根据权利要求1所述的压电体膜的制造方法，其中，

在所述第二预烧成工序之前，反复进行所述涂布工序、所述干燥工序和所述第一预烧成工序。

3.根据权利要求1或2所述的压电体膜的制造方法，其中，

所述涂布液还含有有机物，在所述干燥工序之后且所述第一预烧成工序之前，包括有机物去除工序，在所述有机物去除工序中，通过加热去除所述干燥膜中所包含的有机物。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的压电体膜的制造方法，其中，

所述涂布液中的所述锆与所述钛的含量比以摩尔比计在50:50～40:60的范围内。

5.一种压电体膜，其具有至少包含铅、锆、钛的正方晶系钙钛矿结晶，所述正方晶系钙钛矿结晶的c轴的长度相对于a轴的长度之比在1.0071以上且1.0204以下的范围内，且对厚度方向的氧化锆和钛的浓度进行线分析时，钛的浓度相对于氧化锆的浓度的摩尔比的最低值与最高值之差大于0.1且为0.45以下。

6.根据权利要求5所述的压电体膜，其中，

在使用Cu-Kα线进行测定的X射线衍射图案中，源自所述正方晶系钙钛矿结晶的(400)面的衍射峰的半宽度以衍射角2θ计为1.40度以下。

7.根据权利要求5或6所述的压电体膜，其中，

膜厚在0.5μm以上且5μm以下的范围内。

8.一种压电元件，其具备：

压电体层；及

电极层，形成于所述压电体层的表面，

所述压电体层包含权利要求5至7中任一项所述的压电体膜。