[发明专利]发光或吸光元件在审
| 申请号： | 202080027699.4 | 申请日： | 2020-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN114223064A | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 西尔瓦娜·贝蒂;弗里德海姆·贝希施泰特;约瑟夫·埃弗拉杜斯·马里亚·哈维科特;埃里克·佩特鲁斯·安托尼乌斯·马里亚·贝克斯;埃勒姆·法达利;阿兰·迪克斯特拉 | 申请（专利权）人： | 埃因霍芬理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/16 | 分类号： | H01L33/16;H01L33/24;H01L33/34;H01L31/028;H01L31/036 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李新红 |
| 地址： | 荷兰埃*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 元件 | ||
1.一种发光元件，所述发光元件包括发光部，所述发光部包含Hex-Sil-xGex化合物材料，所述Hex-Sil-xGex化合物材料具有用于发射光的直接带隙。
2.根据权利要求1所述的发光元件，其中所述Hex-Sil-xGex化合物材料被构造为发射在300K的辐射发射B系数满足0.7×10-10cm3/s＜Brad＜11×10-10cm3/s、并且更特别地在300K的辐射发射B系数满足0.7×10-10cm3/s＜Brad＜8.3×10-10cm3/s的光。
3.根据权利要求1或2所述的发光元件，其中所述Hex-Sil-xGex化合物材料被构造为发射1.8μm至3.5μm的光，其中1.8μm对应于x＝0.65，而3.5μm对应于x＝1.0。
4.根据前述权利要求中任一项所述的发光元件，其中所述Hex-Sil-xGex化合物材料包括被构造为发射1.5μm至7.0μm的光的六方Sil-xGex化合物材料的不同组成的应变量子阱结构。
5.根据前述权利要求中任一项所述的发光元件，其中所述Hex-Sil-xGex化合物材料表现出具有亚纳秒复合寿命的直接带隙发射。
6.根据前述权利要求中任一项所述的发光元件，其中所述Hex-Sil-xGex化合物材料表现出光致发光强度相对于激发功率的线性相关性。
7.一种吸光元件，所述吸光元件包括吸光部，所述吸光部包含具有用于吸收光的直接带隙的Hex-Sil-xGex化合物材料。
8.根据前述权利要求中任一项所述的发光元件或吸光元件，其中所述Hex-SixGel-x化合物材料的x被限定为0.2＜x＜1.0，或0.6＜x＜1.0，或0.2＜x＜0.99，或0.2＜x＜0.9，或0.6＜x＜0.9，或0.6＜x＜0.99。
9.根据前述权利要求中任一项所述的发光元件或吸光元件，所述发光元件或吸光元件包括整体结构，所述整体结构包括设置有所述Hex-Sil-xGex化合物材料作为所述发光部或吸光部的Cub-Si基底。
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